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MOSFETs der Serie NTMFS4D für niedrige/mittlere Spannungen
Die optimierten N-Kanal-MOSFETs der Serie NTMFS4D von onsemi in einem kompakten DFN5-Gehäuse sind ideal für Motorantriebe, Batterieschutz und Leistungswandlung
Die Nieder-/Mittelspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie NTMFS4D von onsemi sind für Hochleistungsanwendungen wie Motorantriebe, Batterieschutz und Synchrongleichrichtung ausgelegt. Diese Komponenten zeichnen sich durch branchenweit führende niedrige RDS(ON)-Werte von bis zu 3,9 mΩ aus, wodurch Leitungsverluste minimiert und die Effizienz des Gesamtsystems verbessert werden. Mit einer Nennspannung von bis zu 80 V und einer Strombelastbarkeit von mehr als 100 A in einigen Varianten bietet die Serie NTMFS4D eine robuste Leistung in kompakten DFN5-Gehäusen (5 mm x 6 mm) und ist damit ideal für räumlich begrenzte Designs.
Die Serie NTMFS4D wurde mit einer Soft-Body-Diodenrückgewinnung und niedrigen Gate-Ladungseigenschaften entwickelt und reduziert Schaltverluste und Spannungsspitzen, sodass keine externen Snubber-Schaltungen erforderlich sind. Diese MOSFETs sind RoHS-konform, halogenfrei und mit einem Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von nur 3,5 °C/W für eine optimale thermische Leistung ausgelegt. Unabhängig davon, ob sie in isolierten DC/DC-Wandlern oder hocheffizienten Motorsteuerungen eingesetzt wird, bietet die Serie NTMFS4D Entwicklern eine zuverlässige und effiziente Lösung für anspruchsvolle Energiemanagement-Anwendungen.
- Hohe Strombelastbarkeit: Unterstützt kontinuierliche Drain-Ströme bis zu 119 A je nach Variante
- Kompaktes Gehäuse: DFN5-SO8FL-Footprint (5 mm x 6 mm) für platzbeschränkte Designs
- Substratdiode mit weicher Erholung: Minimiert Spannungsspitzen und macht externe Dämpfungsschaltungen überflüssig
- Niedrige Gate-Ladung (Qg): Reduziert Schaltverluste und Treiberanforderungen
- Niedriger RDS(ON): Nur 3,5 mΩ zur Minimierung der Leitungsverluste
- Großer sicherer Betriebsbereich (SOA): Garantiert Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
- RoHS- und halogenfrei: Umweltfreundlich und konform mit den Vorschriften
- Thermische Effizienz: Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von nur 3,5 °C/W
- Motorantriebe: Ideal für hocheffiziente Motorsteuerungssysteme
- Batterieschutzschaltungen: Gewährleistet einen sicheren und zuverlässigen Batteriebetrieb
- Synchrongleichrichtung: Wird sowohl in DC/DC- als auch in AC/DC-Wandlern zur Verbesserung des Wirkungsgrads eingesetzt
- Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern: Geeignet für die Leistungswandlung in Industrie- und Telekommunikationssystemen
- Energiemanagement in Automobil- und Industriesystemen: Unterstützt hohe Zuverlässigkeit und thermische Leistung
NTMFS4D Series Low/Medium Voltage MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTMFS4D0N04XMT1G | MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL | 0 - Sofort | $0.60 | Details anzeigen |
| | NTMFS4D5N08XT1G | MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE | 0 - Sofort | $0.74 | Details anzeigen |
|  | NTMFS4D0N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 1636 - Sofort | $1.67 | Details anzeigen |
| | NTMFS4D2N10MDT1G | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | 167 - Sofort | $2.78 | Details anzeigen |
| | NTMFS4D7N04XMT1G | POWER MOSFET, SINGL N-CHANNEL, S | 0 - Sofort | $0.82 | Details anzeigen |
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