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SiC-MOSFETs NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S
Die SiC-MOSFETs NTH4L040N120M3S und NTHL022N120M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen geeignet
Die Familie der Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs und der planaren 1200-V-M3S-EliteSiC-MOSFETs von onsemi ist für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und unterdrückt Spannungsspitzen am Gate. Diese EliteSiC- und SiC-Familie liefert optimale Leistung, wenn sie mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einer 15-V-Gate-Ansteuerung.
Merkmale/Funktionen
- NTH4L040N120M3S
- Typ. RDS(on) = 40 m bei VGS = 18 V
- Extrem niedrige Gateladung (QG(tot) = 75 nC)
- Schnelles Schalten mit niedriger Kapazität (Coss = 80 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- Halidfrei und RoHS-konform mit Ausnahmeregelung 7(a), bleifreie Verbindungstechnik der zweiten Ebene (2LI)
- NTHL022N120M3S
- Typ. RDS(on) = 22 m bei VGS = 18 V
- Extrem niedrige Gateladung (QG(tot) = 137 nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss = 146 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- Halidfrei und RoHS-konform mit Ausnahmeregelung 7(a), bleifrei 2LI
Anwendungen/Zielmärkte
- Solarwechselrichter
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EF)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Energiespeichersysteme
- Schaltnetzteile (SMPS)
NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L040N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 219 - Sofort 185400 - Lagerbestand des Herstellers | $12.98 | Details anzeigen |
|  | NTHL022N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | 115 - Sofort 18000 - Lagerbestand des Herstellers | $16.55 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2023-10-13
Deutschland