Gleichstrom-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
Die Gleichstrom-Schnellladelösungen von onsemi für Elektrofahrzeuge tragen dem wachsenden Markt für Elektromobilität Rechnung, der Fortschritte in verschiedenen Branchen vorantreibt, insbesondere bei der Entwicklung von Ladegeräten für Elektrofahrzeuge. Um mit der steigenden Nachfrage nach E-Fahrzeugen Schritt halten zu können und die Auswirkungen auf die Umwelt zu minimieren, müssen effiziente Ladeinfrastrukturen geschaffen werden. Fortschritte bei Leistungskomponenten, -konfigurationen und -reglern erleichtern die Produktion von hochleistungsfähigen Ladestationen, die Bedenken hinsichtlich Reichweite und Emissionen relativieren. Durch den Einsatz der SiC-Technologie und innovativer Gehäuse optimiert onsemi die Entwicklung von Ladegeräten für Elektrofahrzeuge. Das Angebot an Leistungs- und Analoglösungen von onsemi bietet hochwertige Komponenten, die auf spezifische Anforderungen zugeschnitten sind, und stützt sich auf umfassendes Know-how, um Komplettlösungen für den sich ständig weiterentwickelnden Elektromobilitätsmarkt zu liefern.
Ermöglichung zukünftiger DC-Schnellladelösungen mit den EliteSiC-Leistungsmodulen
Kapazitäten zur durchgängigen SiC-Fertigung
- Einphasiges DC-Ladegerät für Elektrofahrzeuge (DC-Wallbox)
- Dreiphasiges DC-Ladegerät für Elektrofahrzeuge
- Verwandte Komponenten
Einphasiges DC-Ladegerät für Elektrofahrzeuge (DC-Wallbox)
Weitere empfohlene Produkte
Dreiphasiges DC-Ladegerät für Elektrofahrzeuge
Weitere empfohlene Produkte
NTH4L014N120M3P
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET- EliteSiC, 14 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Details anzeigen
NTHL022N120M3S
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET - EliteSiC, 22 mΩ, 650 V, M3S, TO-247-3L
Details anzeigen
NTH4L040N120M3S
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET- EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Details anzeigen
NTH4L015N065SC1
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, TO-247-4L
Details anzeigen
NDSH25170A
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode - EliteSiC, 35 A, 1700 V, D1, TO-247-2L
Details anzeigen
FFSH10120A
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
Details anzeigen
FFSB20120A
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L
Details anzeigen
FFSH30120ADN-F155
Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode-EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
Details anzeigen
FFSH40120ADN
Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode-EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
Details anzeigen
NDSH50120C
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Details anzeigen
FFSP0665B
Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Diode - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L
Details anzeigen
FGHL40T65LQDT
FS4-IGBT, 650 V, 50 A, niedrige Vce(sat), mit vollwertiger Diode im Gehäuse, TO-247-3L
Details anzeigen
FGHL50T65LQDTL4
FS4-IGBT, 650 V, 50 A, niedrige Vce(sat), mit vollwertiger Diode im Gehäuse, TO-247-4L
Details anzeigen
FGH4L50T65SQD
Hochgeschwindigkeits-FS4-IGBT, 650 V, 50 A, Diode im Gehäuse, TO-247-4L
Details anzeigen
Verwandte Komponenten
Weitere empfohlene Produkte
NXH020U90MNF2
Voll-SiC-PIM, EliteSiC, Vienna, SiC-MOSFET mit 900 V und 10 mΩ, 1200-V-SiC-Diode
Details anzeigen
NXH008T120M3F2PTHG
Voll-SiC-PIM, EliteSiC, T-NPC, SiC-MOSFET mit 1200 V und 8 mΩ, M3S
Details anzeigen
NXH020U90MNF2PTG
IGBT-PIM, T-NPC, IGBT mit 1200 V und 160 A, IGBT mit 650 V und 100 A, Q1
Details anzeigen
NXH160T120L2Q1
IGBT-PIM, T-NPC, IGBT mit 1200 V und 160 A, IGBT mit 650 V und 100 A, Q2
Details anzeigen

