Transistor MRF13750H mit 750 W CW

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            Transistor MRF13750H mit 750 W CW
  
                    Der HF-LDMOS-Leistungstransistor MRF13750H von NXP Semiconductor wurde für ISM-Anwendungen (Industrie, Wissenschaft und Medizintechnik) im Frequenzbereich von 700 MHz bis 1300 MHz entwickelt

Abbildung: 750-W-CW-Transistor MRF13750H von NXP Semiconductor Der Transistor MRF13750H von NXP Semiconductor liefert 750 W CW für 915-MHz-Anwendungen. Diese Komponente kann für Continuous-Wave-Anwendungen verwendet werden und verfügt über integrierten ESD-Schutz. Sie eignet sich für lineare Anwendungen mit entsprechender Vorspannung und intern für Benutzerfreundlichkeit abgestimmtem Ausgang. Diese Komponente kann zum Ersatz von Magnetron-Hochleistungsröhren verwendet werden, wobei sie eine höhere Zuverlässigkeit und Kontrolle bietet. Der Leistungstransistor MRF13750H erlaubt eine präzise Leistungssteuerung über den gesamten Bereich von 700 MHz bis 1300 MHz.

Merkmale

Anwendungen

Intern abgestimmter Eingang für Benutzerfreundlichkeit
Verwendung in asymmetrischer oder Push-Pull-Konfiguration möglich
Mit geeigneter Vorspannung für lineare Anwendungen geeignet
Integrierter ESD-Schutz
Teil des Programms von NXP für hohe Produktlebensdauer, das Lieferbarkeit für mindestens 15 Jahre gewährleistet
Verstärkung von 19,5 dB