GaN-HF-Leistungstransistor MMRF5017HS

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Produktempfehlungen > GaN-HF-Leistungstransistor MMRF5017HS

            GaN-HF-Leistungstransistor MMRF5017HS
  
                     Hohe Verstärkung und hohe Robustheit des MMRF5017HS von NXP machen Komponente zu idealer Wahl für CW-, Impuls- und Breitband-HF-Anwendungen

Abbildung: GaN-HF-Leistungstransistor MMRF5017HS von NXP Der 125-W-GaN-HF-Leistungstransistor MMRF5017HS von NXP bietet den Breitbandbetrieb von 30 MHz bis 2200 MHz und ist ideal für CW-, Impuls- und Breitband-HF-Anwendungen geeignet. Die Performance ist für Anwendungen in einem Frequenzband von 30 MHz bis 2200 MHz garantiert.

Merkmale
Hochentwickelte GaN-Technologie auf SiC, die hohe Leistungsdichte bietet Stabile Breitband-Performance Abgestimmter Eingang für erweiterte Breitband-Performance		Hohe Robustheit: VSWR > 10:1 RoHS-konform
Anwendungen
Öffentlicher Mobilfunk, einschließlich von Notruffunk Industrial, Scientific and Medical (ISM)		Breitband-Laborverstärker Mobilfunkinfrastruktur