MOSFETs mit niedrigem RDS(on) in extrem kleinen Gehäusen

Beachten Sie die umfangreiche Palette an High-Performance-MOSFETs von NXP mit niedrigem RDS(on) in sehr kleinen DFN2020- und DFN1006-Gehäusen Diese Produkte adressieren die Trends in Richtung höherer Effizienz, erhöhter Leistungsdichte und geringerem Stromverbrauch.

Das SOT23 für tragbare Geräte - DFN1006

• Etwa einen Faktor 7 kleiner als ein SOT23 aber mit der gleichen Verlustleistung (350 mW)
• 2 Versionen: beide mit 1 x 0,6 mm Fläche aber unterschiedlicher Höhe: 0,37 mm (DFN1006B-3) und 0,5 mm (DFN1006-3)
• Multisourcing aufgrund einer breiten Lieferantenbasis:
• > 5 Lieferanten für kompatiblen Platzbedarf der Gehäuse
• Großes Portfolio von MOSFETs und Bipolar-Transistoren auf dem Markt verfügbar
• Breiter Strombereich von 100 mA bis 1 A unterstützt
• Diese MOSFETs sind eine sehr gute Wahl für Lastschalter in Power-Management-Einheiten von tragbaren Geräten

Die 2 x 2 x 0,65 mm Single- und Dual-MOSFETs DFN2020 sind die fortschrittlichsten Komponenten bei der Leistungsdichte:

• Sie nehmen nur 4 mm² Montagebereich ein, haben aber eine ähnliche thermische Beständigkeit wie die Standard-SO-8-Komponenten
• Optimiert für Schalt-Performance und niedrigen RDS(on) ist diese Produktfamilie ideal für Akku/Ladegerät-Schaltgeräte und DC/DC-Wandler in portablen Anwendungen
• Das Single-DFN2020-Gehäuse kommt mit verzinnten lötbaren Seitenpads ("benetzbare Flanken") für einfache Lotinspektion

Merkmale

• P- und N-Kanal-Typen von 12 bis 60 V
• ESD-geschützte Produkttypen bis zu 3 kV HBM
• Automobiltypen mit AEC-Q101-Qualifikation
• Produkttypen mit verzinnten lötbaren Seitenpads
• Sehr geringe RDS(on)-Werte von weniger als 0,65 mOhm bei 2,5 V (für DFN1006-Typen)
• RDS(on) reichen bis zu 10 mOhm und ID bis zu 13 A (für DFN2020-Typen)

Anwendungen

• Leistungsumwandlung und Schaltfunktionalitäten in kleinen, dünnen und batteriebetriebenen elektronischen Geräten
• Andere räumlich begrenzte Anwendungen in den Automobil-, Verbraucher- und Industriemärkten