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650-V-GaNFast™-Leistungs-IC im Einzelchipdesign
Leistungs-ICs von Navitas mit 120 mΩ, 170 mΩ und 300 mΩ sind für weich schaltende Hochfrequenztopologien optimiert
Die GaNFast-Leistungs-IC von Navitas bilden einen benutzerfreundlichen Hochfrequenz-Treiberstrang mit Digitaleingang und Leistungsausgang. Die monolithische Integration von Feldeffekttransistor (FET), Treiber und Logik führt zu einem Hochleistungsbaustein, der es Entwicklern ermöglicht, einen schnellen, kleinen und effizienten integrierten Treiberstrang zu erstellen.
Der integrierte Hochgeschwindigkeitstreiber mit hoher dV/dt-Immunität und das flache branchenübliche QFN-SMT-Gehäuse (5 mm x 6 mm) mit niedriger Induktivität ermöglichen Entwicklern die Nutzung der Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Navitas für schnelle und zuverlässige Lösungen mit bahnbrechender Leistungsdichte und Effizienz. Diese IC erweitern die Fähigkeiten traditioneller Topologien, wie Flyback, Halbbrücke, Resonanz und anderer, über den MHz-Bereich hinaus und ermöglichen so die kommerzielle Einführung bahnbrechender Designs.
- Monolithisch integrierter Gate-Treiber
- Breiter Logikeingangsbereich mit Hysterese
- Mit 5-V- / 15-V-Eingang kompatibel
- Großer VCC-Bereich: 10 V bis 30 V
- Einschalt-dV/dt programmierbar
- dV/dt-Immunität von 200 V/ns
- 650-V-eMode-GaN-FET
- Niedrige Widerstände von 120 mΩ, 170 mΩ und 300 mΩ verfügbar
- Betrieb mit 2 MHz
- Kleines, flaches QFN-SMT-Gehäuse
- Footprint von 5 mm x 6 mm mit Höhe von 0,85 mm
- Minimierte Gehäuseinduktivität
- RoHS- und REACH-konform sowie bleifrei
- AC/DC, DC/DC und DC/AC
- Abwärts-, Aufwärts-, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien
- Sperrtopologien mit aktiver Begrenzung, LLC-Resonanz- und Klasse-D-Topologien
- Schnellladegeräte und Netzteile für mobile Geräte
- Notebook-Adapter
- LED-Beleuchtung und Mikro-Solar-Wechselrichter
- TV-Bildschirme und kabellose Stromversorgung
- Schaltnetzteile für Server, Telekommunikation und Netzwerk
GaNFast™ 650 V Single Power ICs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Montagetyp | Gehäuse / Hülle | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NV6113-RA | MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | 1029 - Sofort | $2.65 | Details anzeigen |
| | NV6115-RA | MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | 1274 - Sofort | $3.46 | Details anzeigen |
|  | NV6125-RA | MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN | Oberflächenmontage | 30-PowerVQFN | 1701 - Sofort | $3.46 | Details anzeigen |
| | NV6127-RA | MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN | Oberflächenmontage | 30-PowerVQFN | 363 - Sofort | $5.10 | Details anzeigen |
| | NV6123-RA | MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN | Oberflächenmontage | 30-PowerVQFN | 1635 - Sofort | $2.65 | Details anzeigen |
| | NV6128 | MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN | Oberflächenmontage | 30-PowerVQFN | 2986 - Sofort | $7.46 | Details anzeigen |
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