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3300-V-Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET MSC400SMA330
Die leistungsstarke Performance des MSC400SMA330 von Microchip trägt zur Maximierung des Wirkungsgrads und zur Minimierung von Gewicht und Größe des Systems bei
Der MSC400SMA330 gehört zur Familie der SiC-MOSFET-Komponenten von Microchip. Im Fokus der SiC-Lösungen von Microchip steht die starke Performance, die dazu beiträgt, die Systemeffizienz zu maximieren und Gewicht und Größe des Systems zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip gewährleistet außerdem, dass die Performance während der Lebensdauer des Equipments nicht nachlässt.
Merkmale/Funktionen
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gateladung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gate-Widerstands (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur: TJ(max.) = 150 °C
- Schnelle und zuverlässige Substratdiode
- Überlegene Avalanche-Robustheit
- RoHS-konform
MSC400SMA330 3300 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC400SMA330B4 | MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24 | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2024-01-19
Deutschland