Hochleistungsfähige uni-/bidirektionale ESD-Dioden
ESD-Schutzkomponenten von MCC mit RDL-Technologie optimieren Dichte und Wärmeableitung in kompaktem CSP1006-2-Gehäuse
Die uni-/bidirektionalen ESD-Schutzkomponenten CSPSBHC4V8LB, CSPSBHC6V3LB und CSPHC4V8L von MCC sind auf höchste Performance ausgelegt. Sie nutzen die innovative RDL-Technologie (Redistribution Layer), um das Anschlusspad des Chips mit dem Anschlusspad des Gehäuses zu verbinden, was hohe Leistungen und ein kompaktes CSP1006-2-Gehäuse ermöglicht. Diese Dioden optimieren die Leistungsdichte des Gehäuses, die elektrische Performance und die Wärmeableitung.
Mit Spitzenimpulsströmen von 1350 W bis 1600 W und einer VRWM zwischen 3,3 V und 4,8 V bieten diese ESD-Dioden einen robusten und zuverlässigen Schutz vor elektrostatischen Entladungen. Eine niedrige Klemmspannung von 15 V bis 16,5 V trägt weiter zu ihrer hohen Performance bei.
Diese ESD-Dioden wurden streng nach der Norm IEC 61000-4-2 (ESD) auf ihre Immunität geprüft und widerstehen Luftentladungen von ±30 kV und Kontaktentladungen von ±30 kV. Die Dioden entsprechen der Norm IEC 61000-4-5 (Blitzschlag) mit 90 A/100 A (8/20 μs) und gewährleisten einen zuverlässigen Schutz in schwierigen Umgebungen.
Von Verbrauchertechnik bis hin zu kritischen Telekommunikationsanwendungen sind die leistungsstarken ESD-Dioden von MCC die ideale Lösung für einen absolut zuverlässigen Betrieb.
- RDL-Technologie: reduzierte Größe und optimierte Performance
- Hoher Spitzenimpulsstrom (PPK): 1350 W bis 1600 W
- VRWM-Bereich: 3,3 V bis 4,8 V
- Extrem kompaktes Gehäuse: CSP1006-2
- Niedrige Klemmspannung: 15 V bis 16,5 V
- Geprüfte Immunität gemäß IEC 61000-4-2 (ESD):
- Luftentladung: ±30 kV
- Kontaktentladung: ±30 kV
- Konformität mit IEC 61000-4-5 (Blitzschlag): 90 A/100 A (8/20 μs)
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