40-V-N-Kanal MOSFET MCAC4D4N04YL-TP im DFN5060-Gehäuse

40-V-N-Kanal-MOSFETs von MCC mit 4,4 mΩ sind ultrakompakt und eignen sich ideal für das Schalten von hohen Strömen

Abbildung: 40-V-N-Kanal-MOSFET MCAC4D4N04YL-TP
von MCC (Micro Commercial Components) im DFN5060-Gehäuse Der MCAC4D4N04YL-TP von Micro Commercial Components ist ein hochleistungsfähiger N-Kanal-MOSFET in einem DFN5060-Miniaturgehäuse. Dieses Bauelement bietet einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand von 4,4 mΩ bei einer unübertroffenen Leistungsdichte und Effizienz für die anspruchsvollsten platzbeschränkten Anwendungen.

Merkmale/Funktionen
  • Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie ist für niedrigen Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit optimiert
  • Niedriger RDS(ON) von 4,4 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, was Leitungsverluste minimiert, Wärmeentwicklung reduziert und Gesamteffizienz des Systems verbessert
  • Erfüllt RoHS- und halogenfrei globale Umweltstandards und Initiativen für umweltfreundliche Fertigung
  • Nenn-Drain-Source-Spannung (VDS) von 40 V bietet ausreichenden Spielraum für Spannungsspitzen und Schwingungen in Automobilanwendungen, die mit üblichen 12-V- oder 24-V-Batteriesystemen betrieben werden
  • Niedriger Wärmewiderstand von +2,97°C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse verbessert Wärmeübertragung und unterstützt stabilen Betrieb unter höheren Leistungsbedingungen
  • Erweiterte maximale Sperrschichttemperatur TJ (max.) von +175 °C, ermöglicht schwere industrielle Anwendungen
  • DFN5060-Gehäuse wurde für platzbeschränkte und thermisch anspruchsvolle Anwendungen entwickelt
Anwendungen/Zielmärkte
  • Schaltstromversorgungen
  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Industrielle Motorantriebe und -steuerungen
  • Leistungsverteilung und Halbleiterrelais

MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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Veröffentlicht: 2026-01-28