Kfz-taugliche Leistungs-MOSFETs von MCC, 40 V bis 100 V

Die AEC-Q101-zugelassenen MOSFETs von MCC in DFN-Gehäusen gewährleisten Effizienz und Zuverlässigkeit

Bild der Kfz-tauglichen Leistungs-MOSFETs von MCC, 40 V bis 100 VDie Kfz-tauglichen Stromversorgungs-MOSFETs von MCC haben einen hohen Wirkungsgrad, sie sind zuverlässig und speziell dafür konstruiert, auch in anspruchsvollsten Anwendungen eine hervorragende Leistung zu bieten. Im Bereich von 40 V bis 100 V haben diese n-Kanal- und p-Kanal-Leistungs-MOSFETs die AEC-Q101-Qualifizierung durchlaufen, sind PPAP-tauglich und können eine außerordentliche Erfolgsgeschichte nachweisen. Durch den Einsatz von zwei innovativen MOSFET-Technologien – Trench und Split-Gate-Trench – bieten diese Produkte eine beispiellose Flexibilität und eine Vielzahl von Vorteilen.

Die Trench-Power-Niederspannungs-MOSFETs von MCC, nämlich MCG30N04HE3-TP und MCG35N04HE3-TP, bieten einen geringen Durchlasswiderstand und eine präzise Feldverteilung. Die größere Gatterfläche sorgt für eine überragende Leistungsaufnahme und eine optimierte Schalt-Performance, weshalb sich diese Produkte ideal für eine Vielzahl von Automotive-Systemen eignen, von EPS bis zur Beleuchtung und darüber hinaus.

Die Split-Gate-Trench-MOSFETs (SGT) von MCC, einschließlich MCG40N10YHE3-TP, MCAC80P06YHE3-TP und MCG15P10YHE3-TP, bieten einen geringen Durchlasswiderstand, eine verbesserte Kontrolle über die elektrische Feldverteilung und eine außergewöhnliche Performance in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz. Das SGT-Design eignet sich besonders gut für Hochspannungskomponenten, die in der Stromversorgung von Autos, DC/DC-Wandlern, anderen wichtigen Funktionen in Autos und in der Industrie eingesetzt werden.

Diese Produkte sind in DFN3333- und DFN5060-Gehäusen erhältlich und bieten eine hervorragende Wärmeableitung bei gleichzeitiger Option für ein kompaktes Design, um Platz zu sparen und die Materialkosten insgesamt zu senken.

Merkmale und Vorteile
  • AEC-Q101-Zulassung
  • Trench-MOSFET- und Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie
  • Niedriger RDS(ON) minimiert Leitungsverluste
  • Geringe Kapazität reduziert Treiber-Verluste
  • Optimale Wärmeabgabe
  • Erhältlich in zwei kompakten Baugrößen: DFN5060 und DFN3333
  • Halogenfreie, umweltfreundliche Komponenten
  • Epoxidharz erfüllt Entflammbarkeitsnorm UL 94 V-0
  • Bleifreie Ausführung/RoHS-konform

Automotive-Grade Power MOSFETs from 40 V to 100 V

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET P-CH 60 80A DFN5060MCAC80P06YHE3-TPMOSFET P-CH 60 80A DFN50603761 - Sofort$2.53Details anzeigen
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG15P10YHE3-TPP-CHANNEL MOSFET, DFN33333943 - Sofort$1.22Details anzeigen
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG30N04HE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN333312424 - Sofort$0.73Details anzeigen
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG35N04HE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN33339975 - Sofort$1.01Details anzeigen
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333MCG40N10YHE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN33338174 - Sofort$1.34Details anzeigen
Veröffentlicht: 2023-11-30