IXYS

PolarP™-P-Kanal-Leistungs-MOSFET der Serie IXTY2P50PA

AEC-Q101-zugelassener MOSFET von IXYS bietet niedrigen Leitungsverlust und hervorragende Schaltperformance

Abbildung: PolarP™-P-Kanal-Leistungs-MOSFET der Serie IXTY2P50PA von IXYSDer IXTY2P50PA von IXYS ist ein AEC-Q101-konformer PolarP™-P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus mit PPAP-Unterstützung, -500 V und -2 A in einem TO-252-Gehäuse (DPAK). Er nutzt die Polar-Technologieplattform, was zu einer erheblichen Reduzierung des Betriebswiderstands (RDS(ON), max. = 4,2 Ω) und der Gate-Ladung (Qg = 11,9 nC) führt. Der P-Kanal-MOSFET zeichnet sich durch geringe Leitungsverluste und eine hervorragende Schaltleistung aus, während er aufgrund seiner dV/dT- und Avalanche-Nennwerte äußerste Robustheit in anspruchsvollen Einsatzumgebungen und Anwendungen bietet.

Merkmale/Funktionen
  • Vereinfachte Zulassung und Zertifizierung
  • Vereinfachtes thermisches Design
  • Minimale Treiberverluste
  • Verbesserte Zuverlässigkeit
  • Platzeinsparung auf der Platine

IXTY2P50PA Series PolarP™ P-Channel Power MOSFET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-TypTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANIXTY2P50PAAUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANP-KanalMOSFET (Metalloxid)500 V735 - Sofort$4.42Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-01-11