Diskrete Ultra-Junction-HiPerFET™-Leistungs-MOSFET der Klasse X3 mit 600 V

IXYS, a Littelfuse Technology, bietet n-Kanal-Ultra-Junction-MOSFET an, die einen hervorragenden Gütefaktor (RDS_(ON) x Q_g) aufweisen, was sich in geringsten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt und eine höhere Leistungsdichte und Energieeffizienz in Spannungsversorgungssystemen ermöglicht. Die neuesten Ultra-Junction-Leistungs-MOSFET der Klasse X3 zeichnen sich durch einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand (RDS_(ON)) und eine geringere Gate-Ladung (Q_g) aus. Diese Familie weist im Vergleich zu ihrer Vorgängerin, der Klasse X2, einen erheblich verbesserten Gütefaktor (Figure of Merit, FOM = RDS_(ON) x Q_g) auf. Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte zu erzielen. Die Leistungs-MOSFET der HiPerFET™-Serie sind mit Substratdioden ausgestattet, die eine niedrige Umkehrerholungsladung (Q_RM) und eine kurze Umkehrerholzeit (t_rr) bieten. Die Ultra-Junction-MOSFET der Klasse X3 mit 600 V können für Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung für Telekom-Stromversorgungen, Motorsteuerung, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, DC/DC-Wandler, Solarwechselrichter und Mehrstufen-Wechselrichter verwendet werden.

Ressourcen

• Produktkatalog für Leistungshalbleiter
• Industrielle Motorantriebe und Sanftanlasser
• Intelligente LED-Beleuchtung