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150-V-N-Kanal-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFET der Klasse X4
N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Klasse X4 von IXYS können parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen
IXYS, jetzt Teil von Littelfuse, stellt ein Leistungshalbleiterbauelement vor, das unter Anwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt wurde und zu einem Leistungs-MOSFET führt, der den Betriebswiderstand [RDS(ON)] und die Gate-Ladung (Qg) erheblich reduziert. Ein niedriger Widerstand im EIN-Zustand reduziert die Leitungsverluste sowie die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie und minimiert so die Schaltverluste. Eine niedrige Qg führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Anforderungen an den Gate-Treiber. Darüber hinaus sind diese MOSFET Avalanche-fähig und weisen eine überlegene dV/dT-Performance auf. Durch den positiven Temperaturkoeffizienten ihres Widerstands im EIN-Zustand können sie parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen.
- Niedriger RDS(ON) und niedrige Qg
- dV/dT-Robustheit
- Fähigkeit zur Stoßentladung
- Internationale Standardgehäuse
- Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen
- Motorsteuerung (48-V- bis 80-V-Systeme)
- DC/DC-Wandler
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Elektrische Gabelstapler
- Audioverstärker der Klasse D
- Telekommunikationssysteme
