Der IS61WV1024/204816BLL von ISSI ist ein statischer 16-Mb-/32-Mb-Hochgeschwindigkeits-RAM, der in 1024 K/2048 K Words mal 16 Bit organisiert ist. Er wird mithilfe der leistungsstarken CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess ergibt in Kombination mit innovativen Verfahren zum Schaltungsdesign leistungsstarke und energieeffiziente Komponenten.
Wenn CS# auf HIGH (deaktiviert) gesetzt ist, geht die Komponente in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit den CMOS-Signalpegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch Bereitstellung von Eingängen zur Chip- und Ausgangsaktivierung ermöglicht. Die Active-LOW-Schreibfreigabe (WE#) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Einzelbyte-Zugriffe können über die Pins UB# (oberes Byte) und LB# (unteres Byte) erfolgen. Die Komponente ist in JEDEC-konformen 48-poligen TSOP-Gehäusen (Typ I) und 48-poligen Mini-BGA-Gehäusen (6 mm x 8 mm) untergebracht.
| Merkmale |
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- Schnelle Zugriffszeit: 10 ns, 12 ns
- Leistungsstarker, energieeffizienter CMOS-Prozess
- Mehrere Mittelpins zur Stromversorgung und mehrere Massepins für höhere Störfestigkeit
- Einfache Speichererweiterung mit CS# und OE#
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Einzelspannungsversorgung
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- Verfügbare Gehäuse:
- 48-poliges Mini-BGA (6 mm x 8 mm)
- 48-poliges TSOP (Typ I)
- Temperaturbereiche für Industrie und Automobiltechnik erhältlich
- Bleifrei erhältlich
- Datensteuerung für oberes und unteres Byte
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- Telekommunikation/Netzwerktechnik
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Der IS61WV1024/204816BLL von ISSI ist ein statischer 16-Mb-/32-Mb-Hochgeschwindigkeits-RAM, der in 1024 K/2048 K Words mal 16 Bit organisiert ist. Er wird mithilfe der leistungsstarken CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess ergibt in Kombination mit innovativen Verfahren zum Schaltungsdesign leistungsstarke und energieeffiziente Komponenten.
