ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

DDR3-SDRAM

ISSI bietet seinen DDR3-SDRAM mit einer Datenrate von bis zu 2133 MB/s

Abbildung: DDR3-SDRAM von ISSIMit einem der breitesten Angebote von DRAM-Produkten in der Branche bietet ISSI eine qualitativ hochwertige Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen. Der Standard-Produktionsablauf von ISSI umfasst vollständige Einbrenn- sowie Hoch- und Tieftemperaturtests. Das Bekenntnis des Herstellers zum langfristigen Support von DRAM-Produkten macht ihn zur idealen Wahl für Automobiltechnik, Industrie, Medizin und Kommunikation, wo Langlebigkeit oberste Priorität ist. Das DRAM-Portfolio von ISSI umfasst EDO/FP, SDR, DDR, DDR2, Mobil-SDR, Mobil-DDR, RLDRAM® -2/3-Speicher und jetzt DDR3.

Merkmale
  • Bidirektionale differenzielle Datenübernahme (data strobe)
  • Datenmaskierung pro Byte bei Schreibbefehlen
  • Programmierbare Burst-Längen von 4 oder 8
  • Programmierbare CAS-Latenz
  • Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modus
  • OCD (Treiberanpassung)
  • ODT (On-Die-Termination) wird unterstützt
  • Write-Leveling
  • Gehäuse: 96-poliges BGA für x16, 78-poliges BGA für x8
  • Langfristiger Support
Anwendungen
  • Telekommunikation/Netzwerktechnik
    • Zugangsknoten
    • Aggregationsknoten
    • Switches und Router
    • Optische Packet-Übertragung
    • Netzwerkspeicher (PON OLT, DSLAM, CMTS, Wireless)
  • Automobiltechnik
    • Infotainment
    • Telematik
    • Fahrerinformationssysteme
  • Industrie
    • Mensch-Maschine-Schnittstelle
    • Eingebettete Computersysteme

DDR3 SDRAM

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungSpeicherorganisationSpeicherschnittstelleSpannung - VersorgungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128B-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640B-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128BL-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR82560B-125KBLIIC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA256M x 8Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallel1,425V bis 1,575V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallel1,283V bis 1,45V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2017-05-16

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