Für Siliziumkarbid-Schalter optimierte isolierte Gate-Treiber-ICs EiceDRIVER™ X3

Die kompakten Gate-Treiber der Familie EiceDRIVER X3 von Infineon Technologies bieten eine hohe Immunität gegenüber Gleichtakt-Transienten und eine optimierte Laufzeitverzögerung für höhere Schaltfrequenzen in Kombination mit Optionen für separate Ausgänge, aktive Abschaltung und Kurzschlussstrombegrenzung und sind für den Einsatz mit IGBTs, Leistungshalbleitern und Siliziumkarbid-MOSFETs vorgesehen. Die Kompakt-Familie der Generation 2 X3 umfasst Bauelemente in einem 7,62 mm breiten LDSO-8-Gehäuse (Kriechstrecke von 8 mm) und einem 3,81 mm schmalen DSO-8-Gehäuse mit einem CTI von >600 und UL-1577-Zertifizierung.

Zur Evaluierung der Einkanal-Gate-Treiber-ICs EiceDRIVER 1ED-X3 in einer Halbbrückenkonfiguration stehen drei Entwicklungsboards zur Verfügung. EVAL1ED3142MC12HSICTOBO1, EVAL1ED3144MC12HSICTOBO1 und EVAL1ED3145MC12HSICTOBO1 umfassen jeweils zwei der entsprechenden kompakten Gate-Treiber-ICs EiceDRIVER X3, zwei 1.200-V-CoolSiC™-SiC-Trench-MOSFETs IMZA120R020M1H und eine integrierte Stromversorgung mit galvanischer Trennung, die mithilfe des Trasformator-Treiber-IC EiceDRIVER power 2EP130R generiert wird. Alle Boards erlauben die Evaluierung anderer ICs aus der Familie 1ED314xMC12H durch Austausch des Gate-Treiber-IC.