Diskreter 1.400-V-CoolSiC™-MOSFET G2 in Reflow-fähigem TO-247PLUS-4-Gehäuse

Der diskrete 1.400-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon mit 8 mΩ in einem Reflow-fähigen TO-247PLUS-4-Gehäuse ist ein hochleistungsfähiges Bauelement, das für anspruchsvolle Anwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme und autonome Fahrzeuge entwickelt wurde. Er nutzt die neueste Technologie des 1.400-V-CoolSiC-MOSFET G2, die ein außergewöhnliches Wärmemanagement, eine höhere Leistungsdichte und eine verbesserte Zuverlässigkeit bietet. Der Baustein verfügt über ein Reflow-fähiges Gehäusedesign, das bis zu drei Reflow-Lötzyklen unterstützt, was zu einem geringeren Wärmewiderstand und einer verbesserten Gesamtsystemeffizienz führt. Zu den Hauptmerkmalen gehören eine hohe Nennspannung, ein niedriger Durchlasswiderstand und ein erweitertes Wärmemanagement. Mit seiner einzigartigen Kombination aus hoher Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ist dieser MOSFET die ideale Wahl für Anwendungen mit hoher Leistung und bietet eine verbesserte Systemfunktion bei geringeren Energieverlusten.