Digital konfigurierbare, isolierte Gate-Treiber der Familie 1ED38xx

EiceDRIVER™ Enhanced 1ED38xx (X3 digital) von Infineon ist eine Familie von hochflexiblen isolierten 5,7-kV-Einkanal-Gate-Treibern mit einem typischen Spitzenausgangs-Sink- bzw. -Source-Strom von ±3 A, 6 A oder 9 A in einem platzsparenden DSO-16-Fine-Pitch-Wide-Body-Gehäuse mit großer Kriechstrecke (>8 mm) für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs. Die digitale Konfigurierbarkeit ermöglicht Funktionen zur vorbeugenden Wartung in anspruchsvollen Industriesystemen. Zum Beispiel kann der 1ED38xx extreme Unterspannungsereignisse zählen und die Versorgungsspannung und den Temperaturanstieg überwachen. Mit der langfristigen Analyse der erhobenen Daten kann der beste Zeitpunkt für die Planung einer Wartung vor dem Systemausfall bestimmt werden. Die I²C-Schnittstelle ermöglicht außerdem ein schnelles Prototyping ohne Hardware-Änderungen.

Das Evaluierungsboard EVAL-1ED3890MX12M verfügt über eine Halbbrückenkonfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED3890MX12M) zur Ansteuerung von Leistungsschaltern wie IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs. Der Schaltertyp ist frei wählbar und muss separat bestellt werden. Hinweis: Das Board enthält die Schalter NICHT. Geeignete Ein-/Ausschalter müssen in den Sockeln T50 und T60 montiert werden. Empfohlene Komponenten sind u. a. die TRENCHSTOP™-IGBTs IKW50N120CS7 oder die CoolSiC™-SiC-MOSFETs IMW120R030M1H. Das Board besitzt eine Größe von 85 mm x 85 mm x 15 mm ohne Leistungsschalter.

Das Evaluierungsboard veranschaulicht die Flexibilität der hoch konfigurierbaren Familie X3 digital (1ED38xx) mit ihren umfangreichen Funktionen. Die Konfiguration erfolgt per I²C-Bus. Es wird empfohlen, das Evaluierungsboard mit einem begleitenden Mikrocontroller-Evaluierungsboard EVAL-1ED38X0DCT zu verwenden, um den Konfigurationsprozess zu optimieren. Die Software EiceDRIVER 1ED38x0 DCT ist bereits installiert.

Merkmale/Funktionen

• Hochflexibler isolierter Einkanal-Gate-Treiber der Familie EiceDRIVER Enhanced 1ED38xx (Familie X3 digital)
• Zur Verwendung mit 650-V-/1.200-V-/1.700-V-/2.300-V-IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs
• 2300 V funktionale Offset-Spannung für ausgewählte Anwendungen möglich
• ±9 A typischer Spitzenausgangsstrom (Senke und Quelle)
• 40 V absolute maximale Ausgangsspannung
• Getrennte Quellen- und Senkenausgänge mit zweistufiger Abschaltung
• Aktive Miller-Klemme
• Präzise und temperaturkompensierte V_CE(sat)-Erkennung (DESAT) mit Fehlerausgang
• IGBT-Sanftabschaltung nach Erkennung der Entsättigung
• FLT- und RDY-Statussignalisierung an µController
• Parametrierung von Eingangsseite über I²C-Bus:
  • Unterspannungsabschaltung (UVLO)
  • Aktive Miller-Klemme
  • Entsättigungsschutz (DESAT)
  • Sanftabschaltfunktion
  • 2-Stufen-Abschaltung
  • Übertemperaturabschaltung bei +160 °C (±10 °C)