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PowerTrench® MOSFET FDMS86181

onsemi bietet mit seinem MOSFET FDMS86181 höhere Effizienz und geringeres Schaltrauschen für eine verbesserte EMI und thermische Performance.

Abbildung: PowerTrench®-MOSFET FDMS86181 von Fairchildonsemi hat in den frühen 1990er Jahren die Entwicklung von Trench-MOSFETS vorangetrieben und seitdem die Technologie und Herstellung von MOSFETS mit der Entwicklung eines umfassenden Portfolios von Tausenden von Produkten für jede Anwendung  perfektioniert.

Der erweiterte 100 V-Shielded-Gate-PowerTrench MOSFET FDMS86181 von onsemi ist der neueste in dieser umfangreichen Familie mit dem derzeit niedrigsten RDS(ON)- und Qrr-Wert und schnellster Sperrverzögerung in seiner Klasse bei gleichzeitig höchster Effizienz. Der FDMS86181 hat nur wenig bis gar kein Spannungsüberschwingen, reduziert das Voltage Ringing und verbessert die EMI für Anwendungen, die einen 100-V-MOSFET für Stromversorgungen und Motorantriebe erfordern. Seine erhöhte Leistungsdichte ermöglicht breitere MOSFET-Unterlastung, sodass Entwickler nicht "überdesignen" müssen.

FDMS86181 ist der erste aus einer in Kürze verfügbaren Familie mit mehreren Spannungs- und Gehäuseoptionen.

Merkmale
  • Die 50-prozentige Reduktion des Qrr-Werts minimiert Ringing und macht den Einsatz von Snubbern unnötig - besser als das beste Konkurrenzprodukt
  • Die 40-prozentige Reduktion des RDS(ON)-Werts verbessert die Effizienz und macht ihn zum branchenweit niedrigsten in der 100-V-Klasse (eine Reduktion gegenüber der vorherigen Version von onsemi, die branchenweit die beste war)
  • Um 45 % reduziertes LRRM verringert EMI
  • Eine bessere FOM für effizientes schnelles Schalten
  • Branchenführende p- und n-Kanal-Technologie
  • Höhere Betriebstemperaturen

FDMS86181 PowerTrench MOSFET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFNFDMS86181MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN5784 - Sofort$2.48Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-03-22

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