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80-V-Halbbrücken-Gate-Treiber uP1966E für GaN-FETs
EPC und uPI Semiconductor bieten gemeinsam GaN-Lösungen mit uP1966 für kostengünstige und schnelle Markteinführung von GaN-basierten Designs
Der von EPC vertriebene uP1966E ist für die Ansteuerung von High- und Low-Side-GaN-FETs in Halbbrückentopologien ausgelegt und unterstützt Frequenzen vom mehreren MHz auf beiden Kanälen. Diese hohe Geschwindigkeit sorgt für einen effizienten und zuverlässigen Betrieb und ist somit ideal für Anwendungen, die schnelles Schalten erfordern.
Merkmale/Funktionen
- Pull-Down-/Pull-up-Widerstand: 0,4 Ω/0,7 Ω
- Geringe Ausbreitungsverzögerung (20 ns typisch)
- Kurze Anstiegs- und Abfallzeiten (8 ns/4 ns typisch)
- Einstellbarer Ausgang für Ein- und Ausschaltfunktion
- CMOS-kompatible Eingangslogik (unabhängig von der Versorgungsspannung)
- Unterspannungsabschaltung für Versorgungseingang
Anwendungen/Zielmärkte
- DC/DC-Wandler
- Rechenzentren
- KI-Server
- Synchrongleichrichtung für AC/DC- und DC/DC-Wandlung
- Lastpunktwandler
- Audioverstärker der Klasse D
- LED-Beleuchtung
uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | UP1966E | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP | 220375 - Sofort | $1.97 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2024-10-08
Deutschland