eGaN®-FET der 5. Generation

Die Einführung der 5. Generation von EPC ist ein Quantensprung in eine neue Welt der Performance. Die neueste Generation dieser Technologie reduziert die Größe der eGaN-FETs der 4. Generation um die Hälfte und verdreifacht ihre Leistung. Diese Kostensenkung und Leistungsverbesserung schafft einen „positiven Zyklus“, der die Lücke sowohl bei der Performance als auch bei den Kosten zwischen eGaN-FETs und ICs sowie dem alternden Leistungs-MOSFET erweitert.

Merkmale

• Kleiner Footprint - riesige Leistungsverbesserungen
  • Bei 100 V haben die eGaN-FETs einen 4-fachen Vorteil bezüglich R_DS(ON) x Chipfläche gegenüber hochmodernen Silizium-MOSFETs
  • Bei 200 V wächst dieser Vorteil auf das 16-Fache
• Verbesserter Gütefaktor (FOM)
  • Die neueste Generation von eGaN-FETs bietet einen vierfachen Vorteil gegenüber Silizium bei 100 V und einen 8-fachen Vorteil bei 200 V für eine verbesserte Schaltleistung bei Hochfrequenz-Leistungswandlungsanwendungen
• Anwendungen profitieren von Leistungssteigerungen
  • In einem Beispielfall, bei dem der 100 V EPC2045 verwendet wurde, wurde eine 30-prozentige Verringerung des Leistungsverlustes mit einer Zunahme von 2,5 Prozentpunkten bei der Effizienz bezüglich des besten vergleichbaren MOSFETs in einer 48V-zu-5V-Schaltung bei einer Frequenz von 500 kHz erreicht