Entwicklungsplatinen EPC9052/53/54

Die GaN-basierten Differenzialmodus-Entwicklungsplatinen von EPC können bis zu 30 MHz handhaben. Diese Platinen bieten den Entwicklern von Stromversorgungssystemen eine einfache Möglichkeit zur Evaluierung der außergewöhnlichen Performance von Galliumnitrid-Transistoren sowie zur schnellen Überführung ihrer Produkte in die Serienfertigung. Diese Entwicklungsplatinen wurden für Anwendungen der Klasse E wie drahtloses Laden konzipiert, können jedoch in jeder Anwendung mit Low-Side-Schalter zum Einsatz kommen. Beispiele sind Push-Pull-Wandler, stromgeregelte Verstärker der Klasse D, bidirektionale Common-Source-Schalter, generische Hochspannungsanwendungen mit geringer Pulsweite, wie z. B. LiDAR, und viele mehr.

Diese Entwicklungsplatinen verfügen über eGaN-FETs mit einer Nennspannung von 200 V. Die Verstärker sind auf Differenzialmodus eingestellt und können zum Betrieb im asymmetrischen Modus mit Gate-Treiber und Logikspannungsregler umkonfiguriert werden. Alle drei Platinen besitzen die gleichen Grundspezifikationen. Die Lastbedingungen im Betrieb, einschließlich der Konfiguration, bestimmen Lastspannung und Widerstand des optimalen Designs.