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GaN-FETs EPC2218A und EPC2204A
GaN-FETs von EPC sind ideal für Fahrzeugelektronik und hochentwickelte autonome Anwendungen
Der GaN-FET EPC2218A mit 80 V, 3,2 mΩ und einem Impulsstrom von 231 A sowie der GaN-FET EPC2204A mit 80 V, 6 mΩ und einem Impulsstrom von 125 A aus dem Hause EPC bieten eine deutlich kleinere und effizientere Lösung als Silizium-MOSFETs und kommen in der Kfz-Spannungswandlung (48 V in 12 V DC/DC), im Kfz-Infotainment und im Lidar für autonomes Fahren zum Einsatz.
Niedrigere Gate-Ladungen (QGD) und ein Sperrverzögerungsverlust (QRR) von null ermöglichen den Hochfrequenzbetrieb mit 1 MHz und mehr. In Kombination mit einem hohen Wirkungsgrad auf kleinstem Footprint ermöglichen diese Faktoren eine zeitgemäße Leistungsdichte.
Anwendungen/Zielmärkte
- 48-V-DC/DC-Wandlung in der Automobiltechnik
- Mild-Hybrid-Elektrofahrzeuge
- Infotainment
- Kfz-Lidar
- Autonome Fahrzeuge
- E-Mobilität
EPC2218A and EPC2204A GaN FETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Vgs(th) (max.) bei Id | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2204A | TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101 | 29 A (Ta) | 2,5V bei 4mA | 6mOhm bei 16A, 5V | 16731 - Sofort | $3.17 | Details anzeigen |
|  | EPC2218A | TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101 | 60 A (Ta) | 2,5V bei 7mA | 3,2mOhm bei 25A, 5V | 19393 - Sofort | $5.33 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2023-01-13
Deutschland