EPC

Halbbrücke EPC2106

Die 100-V-eGaN®-Halbbrücke von EPC ist ideal für Class-D-Audio und LED-Beleuchtung

Abbildung: Halbbrücke EPC2106 von EPCDie 100-V-eGaN-Halbbrücke EPC2106 von EPCs hat einen typischen RDS (ON) von 55 mΩ, eine Ausgangskapazität von unter 600 pF, null Umkehrerholung (Q RR) und einen maximalen gepulsten Drain-Strom von 18 A für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung mit extrem kleiner 1,82-mm2-Grundfläche.

Anwendungen
  • DC/DC-Leistungswandlung
  • LiDAR
  • LED-Beleuchtung
  • Klasse-D-Audio
Merkmale
  • Hochfrequenzfähig:
    • Monolithische Integration eliminiert Verbindungsinduktivitäten für höhere Effizienz bei höherer Frequenz
  • Hoher Wirkungsgrad:
    • Geringere Leitungs- und Schaltverluste, null Rücklaufverluste
  • Kleine Grundfläche:
    • Extrem kleiner, oberflächenmontierbarer, passivierter BGA-Chip mit 1,35 mm x 1,35 mm und niedriger Induktivität

EPC2106 Half Bridge

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13620 - Sofort$2.30Details anzeigen
EVAL BOARD FOR EPC2106EPC9055EVAL BOARD FOR EPC210618 - Sofort$169.08Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-01-14

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