Der EPC2069 von EPC ist ein GaN-FET mit 40 V, 2,25 mΩ sowie 422 A Impulsstrom, der im Vergleich zu Silizium-MOSFETs eine deutlich kleinere und effizientere Komponente für Hochleistungsanwendungen mit begrenztem Platzangebot darstellt. Dieser GaN-FET ist ideal für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Leistungsdichte, wie z. B. 48-V- bis 54-V-Eingangsserver. Geringere Gateladungen und null Rückführungsverluste ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb von 1 MHz und darüber hinaus auf einer winzigen Grundfläche von 10,6 mm² für modernste Leistungsdichte. Der EPC2069 unterstützt 48-V- bis 12-VDC/DC-Lösungen im Bereich von 500 W bis 2 kW und mit einem Wirkungsgrad von über 98 %. Um eine maximale Leistungsdichte von >4.000 W/in³ zu erreichen, ist der Einsatz von eGaN-Komponenten sowohl auf der Primär- als auch auf der Sekundärseite erforderlich.
Anwendungen/Zielmärkte
- 48-V-DC/DC-Wandlung
- Synchrongleichrichtung für AC/DC- und DC/DC-Wandlung
- LiDAR/Impulsleistung
- Audioverstärker der Klasse D
- LED-Beleuchtung
- BLDC-Motorantriebe
- E-Bikes
- E-Roller
- Robotik
- Drohnen
- Elektrowerkzeuge
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Der EPC2069 von EPC ist ein GaN-FET mit 40 V, 2,25 mΩ sowie 422 A Impulsstrom, der im Vergleich zu Silizium-MOSFETs eine deutlich kleinere und effizientere Komponente für Hochleistungsanwendungen mit begrenztem Platzangebot darstellt. Dieser GaN-FET ist ideal für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Leistungsdichte, wie z. B. 48-V- bis 54-V-Eingangsserver. Geringere Gateladungen und null Rückführungsverluste ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb von 1 MHz und darüber hinaus auf einer winzigen Grundfläche von 10,6 mm² für modernste Leistungsdichte. Der EPC2069 unterstützt 48-V- bis 12-VDC/DC-Lösungen im Bereich von 500 W bis 2 kW und mit einem Wirkungsgrad von über 98 %. Um eine maximale Leistungsdichte von >4.000 W/in³ zu erreichen, ist der Einsatz von eGaN-Komponenten sowohl auf der Primär- als auch auf der Sekundärseite erforderlich.
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