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Leistungstransistor EPC2050
350-V-eGaN®-Leistungstransistor EPC2050 von EPC ist 20 mal kleiner als vergleichbare Halbleiterlösungen
Der 350-V-GaN-Transistor EPC2050 von EPC besitzt einen maximalen RDS(on) von 65 mΩ und einen Impulsausgangsstrom von 26 A. Zu den Anwendungen gehören das Laden von Elektrofahrzeugen, Solar-Wechselrichter, Motorantriebe und mehrstufige Wandlerkonfigurationen wie ein 3-stufiger LLC-Wandler mit einem Ausgang von 400 V bis 48 V für Telekommunikations- oder Server-Netzteile.
Der EPC2050 misst nur 1,95 mm x 1,95 mm (3,72 mm2). Er bietet eine hohe Performance bei geringem Platzbedarf. Angesichts der winzigen Größe des EPC2050 etwa beansprucht eine hocheffiziente Halbbrücke mit Gate-Treiber fünf Mal weniger Platz als eine vergleichbare Halbleiterlösung. Trotz der geringen Größe der chipgroßen Gehäuse kann der EPC2050 thermische Bedingungen effizienter handhaben als Kunststoff-MOSFET.
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Evaluation Board
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
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 |  | EPC9084 | EVAL BOARD FOR EPC2050 | 0 - Sofort | $102.20 | Details anzeigen |
Deutschland