Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs und Dioden

Die WBG-Materialien von Diodes Incorporated bieten aus vielen Gründen Vorteile gegenüber Silizium; z. B. kann SiC mit einer höheren Durchbruchspannung bis zu fünfmal höheren Spannungen (3 kV) standhalten als Silizium. SiC kann außerdem bis zu zehnmal schneller schalten als Silizium, was zu minimalen Schaltverlusten führt. Eine dreimal bessere Leitfähigkeit bedeutet auch eine bessere Verlustleistung und kleinere Kühlkörper. Daher ist SiC aufgrund seiner besseren Wärmeleitfähigkeit und Packungsdichte für Hochleistungsanwendungen besser geeignet als GaN.

SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs haben gegenüber Silizium-MOSFETs viele Vorteile, z. B. höhere Schaltfrequenzen und eine geringere Größe von Komponenten wie Induktivitäten, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren.

Die 1200-V-SiC-MOSFETs wurden für Hochspannungs-Schaltleistungsanwendungen entwickelt, die den höchsten Wirkungsgrad und ein kompaktes Design erfordern. Sie zeichnen sich durch einen hohen Ausgangsstrom, einen niedrigen Durchlasswiderstand und die branchenüblichen Gehäuse TO263-7, TO247 und TO247-4 aus und eignen sich perfekt für Anwendungen wie Motorantriebe, Gleichstromwandler, Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte.

SiC-Dioden

SiC-Schottky-Dioden von Diodes haben Spannungsbereiche von 650 V bis 1200 V. Sie sind in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, vom isolierten TO220 über das Standard-TO220 bis hin zum TO252, und bieten damit Entwicklern, die Wert auf Wirkungsgrad, Robustheit und eine schnelle Markteinführungszeit legen, große Flexibilität. Die automobiltauglichen 650-V- und 1200-V-SiC-Dioden von Diodes sind AEC-Q101-zugelassen.