Schottky-Dioden in CSP- und DFN-Gehäusen

Diodes stellt eine Reihe von Schottky-Dioden in winzigen CSP- und DFN-Gehäusen vor. Diese kleinen Gehäuse vereinfachen verschiedene Anwendungen wie Sperr-, Überlastbegrenzungs- und Bootstrap-Dioden in vielen batteriebetriebenen Produkten wie IoT-Wearables, Smartphones und Headsets für virtuelle/erweiterte Realität. Viele dieser Schottky-Dioden in CSP- und DFN-Gehäusen sind zudem gemäß AEC-Q101-Norm zugelassen und werden durch PPAP-Verfahren unterstützt.

Merkmale

• Winzige Gehäuse mit hoher Robustheit
  • Diese extrem flachen und kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ermöglichen kompakte Formfaktoren der Endsysteme, in denen sie zum Einsatz kommen. Die Beseitigung von Bonddrähten im Inneren der CSP-Gehäuse und die PPAP-Unterstützung gewährleisten langfristige Zuverlässigkeit.
• Niedrige Durchlassspannung
  • Mit einer maximalen Durchlassspannung (VF) von minimal 0,35 V ermöglichen diese Schottky-Dioden im CSP-/DFN-Gehäuse extrem niedrige Leitungsverluste. Dies führt zu niedrigeren Betriebstemperaturen und einer hervorragenden Langzeit-Zuverlässigkeit.
• Niedriger Leckstrom
  • Der niedrige Leckstrom (IR) führt zu niedrigeren Umgebungstemperaturen, wenn sich das System im Standby-Modus befindet. In batteriebetriebenen Systemen wird die Standby-Zeit deutlich erhöht.
• Breite Palette von Rückwärtsdurchbruchspannungen und Ausgangsströmen
  • Diese Komponenten bieten eine umfassende Palette von Rückwärtsdurchbruchspannungen (VBR_MIN = 20 V bis 70 V) und Ausgangsströmen (IO_MAX = 70 mA bis 2 A) und erfüllen so die Anforderungen vieler anspruchsvoller Anwendungen.