Bipolartransistoren der Serien DXTN/P 78Q und 80Q

Die für die Automobilindustrie geeigneten bipolaren NPN- und PNP-Transistoren der Serien DXTN/P 78Q und 80Q von Diodes Incorporated bieten einen extrem niedrigen VCE(sat)-Wert.

Die zwölf Komponenten mit Nennspannungen von 30 V, 60 V und 100 V bieten eine außergewöhnliche Leitungseffizienz und Wärmeleistung für anspruchsvolle Schalt- und Steuerungsaufgaben in der Automobiltechnik.

Sie eignen sich für 12-V-, 24-V- und 48-V-Systeme und unterstützen Anwendungen wie MOSFET- und IGBT-Gate-Ansteuerung, Lastschaltung, LDO-Regelung, DC/DC-Wandlung sowie Motor- und Aktuatorsteuerung. Sie sind bis +175 °C ausgelegt und verfügen über eine hohe ESD-Robustheit (HBM 4 kV, CDM 1 kV), was einen zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen gewährleistet.

Das kompakte PowerDI®3333-8-Gehäuse (3,3 mm x 3,3 mm) reduziert die Leiterplattenfläche im Vergleich zum SOT223 um bis zu 75 % und bietet einen extrem niedrigen Wärmewiderstand (4,2 °C/W).

Die SWP-Technologie (Side-Wall Plateable) verbessert die AOI-Sichtbarkeit und die Lötstellenfestigkeit für eine effiziente und zuverlässige Fertigung.

Mit einer Durchbruchspannung (BVCEO) von bis zu 100 V, einem Dauerstrom von bis zu 10 A (20 A Spitze) und einer Sättigungsspannung von nur 17 mV minimieren diese Transistoren die Leitungsverluste um bis zu 50 % und ermöglichen so kühlere und effizientere Designs.