Leistungsstarke Speicherlösungen

Mit mehr als 40 Jahren Erfahrung im Bereich diskreter Speicherhalbleiter ist Infineon führend mit branchenführenden Speicherprodukten für Automobil-, Industrie-, Konsumgüter- und Kommunikationsanwendungen. Infineon führte 1982 seinen ersten Arbeitsspeicher mit wahlfreiem Zugriff ein und hat sich von diesem vielversprechenden Beginn zu einer breiten Produktpalette entwickelt, die NOR-Flash, pSRAM, SRAM, nvSRAM und F-RAM umfasst. Mit unübertroffener Qualität und langfristigen Lieferverträgen sowie einem starken Engagement für zukünftige Investitionen in neue Technologien werden die Speicherlösungen von Infineon auch in den kommenden Jahrzehnten führend in der Branche sein.

Das differenzierte Portfolio an volatilen und nichtflüchtigen Speichern enthält:

  • SEMPER™, Familie von sicheren und zuverlässigen NOR-Flash-Speichern
  • EXCELON™, Familie von extrem energieeffizienten, leistungsstarken, zuverlässigen F-RAM-Produkten
  • HYPERBUS™, Schnittstellen-basierte HyperFlash™-NOR-Flash-Speicher
  • HyperRAM™-pSRAM-Speicher
  • NOR-FLASH
  • F-RAM
  • nvSRAM
  • SRAM
  • pSRAM

NOR-Flash

NOR-Flash-Produkte von Infineon werden sorgfältig konzipiert und entwickelt, um ein Höchstmaß an Sicherheit, Zuverlässigkeit und Schutz zu gewährleisten. Das Langlebigkeitsprogramm bietet die Gewähr für langfristige Lieferkontinuität, ergänzt durch eine Null-Fehler-Politik für außergewöhnliche Qualität. Eine umfassende Suite von Designtools und Support-Ressourcen steht zur Verfügung, um den Designprozess zu rationalisieren und die Zeit bis zur Markteinführung zu beschleunigen. Mit einem umfassenden Portfolio zugeschnitten auf Industrie, Automobiltechnik, Kommunikation, und Rechenzentren, bieten NOR-FLASH-Speicher von Infineon einen Wettbewerbsvorteil für zuverlässige Leistung unter allen Bedingungen.

SEMPER,™ die NOR-Flash-Familie der nächsten Generation von Infineon, ist auf funktionale Sicherheit ausgelegt und stellt sicher, dass jedes System in einem bekannten Zustand startet und jedes Mal zuverlässig funktioniert. Wenn es auf Vertrauen und Integrität ankommt, fügen SEMPER™ Secure-Geräte eine Hardware-Root-of-Trust und kryptografische Engine hinzu, um authentifizierten Zugriff, Remote-Identitätsüberprüfung und gesicherte OTA-Updates mit Cloud-zu-Chip-Sicherheit vorzubereiten. Für Wearables und andere winzige batteriebetriebene Geräte liefert SEMPER™ Nano den kleinsten Formfaktor und niedrigsten Stromverbrauch für eine Maximierung der Batterielebensdauer.

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NOR-Flash-Produkte

Hauptmerkmale

  • Nichtflüchtiger Speicher von 64 Mb bis 4 Gb
  • Leistungsstarke serielle und parallele Schnittstellen
  • Integrierte funktionale Sicherheitsfunktionen mit ASIL-D-Konformität
  • Bis zu 2,56 Millionen Programm-/Löschzyklen im Dauerbetrieb
  • Datenhaltezeit von 40 Jahren
  • Betriebstemperatur: bis zu +125 °C
  • Chipinterner Hardware-Fehlerkorrekturcode (ECC)
  • eXecute-in-Place (XiP)

Vorteile

  • Ermöglicht sofortiges Booten mit Lesedurchsätzen von bis zu 400 MB/s und XiP
  • Speichert Daten zuverlässig bis zu 25 Jahre lang, auch unter rauen Betriebsbedingungen
  • Kopplung mit beliebten SoCs aus einem breiten Ökosystem von Chipsatz-Partnern
  • Gewährleistet sicheren und zuverlässigen Betrieb mit SafeBoot und Fehlerprüfung
  • Beschleunigt die Markteinführung mit SDK aus dem SEMPER™ Solutions Hub
  • Gewährleistet die Produktversorgung und Langlebigkeit von mehr als 10 Jahren
NOR-Flash
Produktfamilie Dichte Schnittstelle Spannung Schnelligkeit Zielanwendungen
SEMPER™ NOR-Flash 256 Mb -
4 Gb		 QSPI, oktal xSPI, HYPERBUS™ 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 400 MB/s Robotik, industrielle Automatisierung und Antriebe, Automobiltechnik: ADAS; sicherheitskritischer Betrieb, hohe Geschwindigkeit, Schnellstart
SEMPER™ Secure NOR-Flash 128 Mb -
256 Mb		 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 400 MB/s Vernetzung, Überwachung, Smart Factories, Rechenzentren; sicheres Booten und Speichern, gesicherte End-zu-End-Übergänge
SEMPER™ Nano 256 Mb QSPI 1,8 V Bis zu 52 MB/s Hearables, Wearables, intelligente Sensoren, tragbare medizinische Geräte; kompakt, zuverlässig, stromsparend, eingebautes ECC
HYPERFLASH™ 128 Mb -
512 Mb		 HYPERBUS™ 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 333 MB/s Industrielles HMI, digitale Anzeigen, Kombiinstrumente für Kraftfahrzeuge; sofortige Einsatzbereitschaft, Bild- und Grafikspeicherung
Serielles Standard-NOR-Flash 64 Mb -
1 Gb		 QSPI, duale QSPI 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 204 MB/s Industrie-, Computer-, Kommunikations- und Automobiltechnik; zuverlässiger Bootcode und Datenspeicherung
Standard-Parallel-NOR-Flash 64 Mb -
2 Gb		 16/8-Bit-Seitenmodus 3,0 A Bis zu 70 ns / 15 ns Industrie, Medizin, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung; zuverlässiger Bootcode und Datenspeicherung

F-RAM

F-RAM (oder FeRAM/Ferroelectric Random Access Memory) ist ein eigenständiger nichtflüchtiger Speicher, der Entwickler befähigt, kritische Daten sofort zu erfassen und zu erhalten, wenn die Stromversorgung unterbrochen wird. Sie sind ideal für unternehmenskritische Anwendungen, die eine kontinuierliche und energiesparende Datenprotokollierung erfordern. F-RAMs sind in kompakten Formfaktoren erhältlich und bieten schreibverzögerungsfreie Schreibvorgänge, praktisch unbegrenzte Lebensdauer und vollständige Toleranz gegenüber magnetischen Interferenzen, ohne Kompromisse bei Zuverlässigkeit, Leistung und Energieeffizienz einzugehen.

Die nächste Generation der EXCELON™ F-RAM-Familie von Infineon kombiniert die branchenweit niedrigsten Ruheströme mit Hochgeschwindigkeitsschnittstellen mit geringer Pin-Anzahl, sofortiger Nichtflüchtigkeit und unbegrenzter Lese-/Schreibzyklen-Lebensdauer, um eine hohe Systemzuverlässigkeit und einen extrem niedrigen Energieverbrauch zu gewährleisten.

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FRAM-Produkte

Hauptmerkmale

  • Nichtflüchtiger Speicher von 4 Kb bis 16 Mb
  • Leistungsstarke serielle und parallele Schnittstellen
  • Kein verzögerter Schreibvorgang, bei dem Daten mit Busgeschwindigkeit in Speicherzellen geschrieben werden
  • Lese-/Schreibbeständigkeit von über 1014 (100 Billionen) Zyklen
  • Über 10 Jahre Datenhaltezeit bei +85 °C
  • Betriebstemperatur: bis zu +125 °C
  • Unempfindlich gegen Magnetfeldstörungen und Strahlung

Vorteile

  • Erfasst Systemdaten sofort bei Stromausfall
  • Protokolliert Daten kontinuierlich während der gesamten Lebensdauer des Systems
  • Arbeitet zuverlässig in rauer Umgebung in Industrie und Automobiltechnik
  • Verbraucht 200x weniger Energie als EEPROMs und 3.000x weniger als NOR-Flash
  • Vereinfacht das Systemdesign ohne Mehrkosten durch Firmware zur Verschleißnivellierung
  • Gewährleistet die Produktversorgung und Langlebigkeit von mehr als 10 Jahren
F-RAM
Produktfamilie Dichte Schnittstelle Spannung Schnelligkeit Zielanwendungen
EXCELON™ Ultra, F-RAM 2 Mb –
16 Mb		 QSPI 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 108 MHz Industrielle Automatisierung und Antriebe, Unternehmens-Server und RAID-Speicher, Robotik
EXCELON™ Auto, F-RAM 1 Mb –
16 Mb		 SPI/QSPI 1,8 V,
3,0 V		 Bis zu 108 MHz EDR in der Automobiltechnik, vorausschauende Kameras, ADAS, Infotainment, Batteriemanagementsysteme
EXCELON™ LP, F-RAM 2 Mb –
16 Mb		 SPI 1,8 V,
3,3 V		 Bis zu 50 MHz Intelligente Zähler, intelligente Gesundheitspflege, Wearables, IoT-Sensoren, Solar-Wechselrichter, MFP
Standard-F-RAM 4 Kb –
4 Mb		 I²C, SPI, parallel
(x8, x16)		 3,3 V
5,0 V		 Bis zu 40 MHz, bis hinab zu 60 ns Industrielle Automatisierung und Antriebe, intelligente Zähler, Automobiltechnik, Solar-Wechselrichter, Energiespeicherung

nvSRAM

nvSRAM (nichtflüchtiger SRAM) ist ein eigenständiger nichtflüchtiger Speicher, der bei einer Unterbrechung der Stromversorgung sofort eine Kopie der Systemdaten in den nichtflüchtigen Speicher einspeichert und beim Wiedereinschalten wieder abrufbar macht. Der nvSRAM von Infineon kombiniert branchenführende SRAM-Technologie mit der branchenführenden nichtflüchtigen SONOS-Speichertechnologie und bietet ein umfassendes Portfolio an zuverlässigen, leistungsstarken Datenerfassungsspeichern, die Backup-Batterien oder größere Superkondensatoren in Systemen überflüssig machen.

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nvSRAM-Produkte

Hauptmerkmale

  • Nichtflüchtiger Speicher von 64 Kb bis zu 16 Mb
  • Leistungsstarke serielle und parallele Schnittstellen
  • Parallel Schnittstellenlösungen mit schnellster Zugriffszeit von 20 ns
  • Unendliche Lese-/Schreibausdauer im SRAM-Array
  • Über 20 Jahre Datenhaltezeit bei +85 °C
  • Optionale Echtzeituhr (RTC)
  • Unempfindlich gegen Magnetfeldstörungen und Strahlung

Vorteile

  • Erfasst Systemdaten sofort bei Stromausfall
  • Protokolliert Daten kontinuierlich während der gesamten Lebensdauer des Systems
  • Arbeitet zuverlässig in rauer Umgebung in Industrie und Automobiltechnik
  • Macht Batterien oder große Superkondensatoren überflüssig
  • Vereinfacht das Systemdesign ohne Mehrkosten durch Firmware zur Verschleißnivellierung
  • Gewährleistet die Produktversorgung und Langlebigkeit von mehr als 10 Jahren
nvSRAM
Produktfamilie Dichte Schnittstelle Spannung Schnelligkeit Zielanwendungen
Paralleler nvSRAM 256 Kb –
16 Mb		 Parallel
(x8, x16, x32)		 3,0 V, dual 3,0 V & 1,8 V I/O Bis hinab zu 20 ns Industrielle Automatisierung und Antriebe, Vernetzung, Kasino-Spielgeräte
Serieller NVSRAM 64 Kb –
1 Mb		 I²C, SPI, QSPI 3,0 V, 5,0 V, dual 3,0 V & 1,8 V I/O Bis zu 104 MHz Vernetzung, Überwachung, Smart Factories, Rechenzentren; sicheres Booten und Speichern, gesicherte End-zu-End-Übergänge

SRAM

SRAM (Static RAM) ist ein eigenständiger Arbeitsspeicher, der Entwicklern eine einfache Möglichkeit bietet, mehr RAM zu ihrer Anwendung hinzuzufügen. Im Gegensatz zu DRAM müssen SRAMs nicht periodisch aufgefrischt werden, was sie schneller, energieeffizienter und zuverlässiger für Puffer- und Cache-Speicher-Anwendungen macht. Infineon bietet das branchenweit breiteste Portfolio an asynchronen und synchronen SRAMs sowie eine stabile Produktversorgung und einen langfristigen Support.

Die neueste Generation von 65-nm-SRAMs von Infineon mit chipinternem Hardware ECC (Fehlerkorrekturcode) bietet eine signifikante Verbesserung der Weichfehlerrate (SER), was zu einer Leistung von ≤0,1 FIT/Mb führt.

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SRAM-Produkte

Hauptmerkmale

  • Umfassendes Portfolio an asynchronen und synchronen SRAMs
  • Leistungsfähiger asynchroner Bus mit Zugriffszeit von 10 ns
  • Geschwindigkeit bis zu 1.066 MHz mit synchronen QDR™-IV-SRAMs
  • Extrem niedriger Standby-Strom (6,5 µA für 8 Mb)
  • Chipinterner Hardware-ECC
  • Kompatibilität mit älteren SRAM-Produkten

Vorteile

  • Maximiert die Akkulaufzeit für batteriegepufferte Anwendungsfälle bei der Datenerfassung
  • Erhöht die Speicherbandbreite für den Datenzugriff in Echtzeit
  • Erzielt eine Zufalls-Transaktionsrate von bis zu 2.132 MT/s (QDR™-IV)
  • Gewährleistet Datensicherheit mit SER-Performance bis ≤0,1 FIT/Mb
  • Gewährleistet die Produktversorgung und Langlebigkeit von mehr als 10 Jahren
SRAM
Produktfamilie Dichte Schnittstelle Spannung Schnelligkeit Zielanwendungen
MoBL™, Async SRAM 256 Kb –
64 Mb		 Parallel
(x8, x16, x32)		 1,8 V, 3,0 V, 5,0 V Bis hinab zu 45 ns Industrielle Automatisierung und Antriebe, Vernetzung, Casino-Spielgeräte, Insulinpumpen
Schnelles asynchrones SRAM 256 Kb –
32 Mb		 Parallel
(x8, x16, x32)		 1,8 V, 3,0 V, 5,0 V Bis hinab zu 10 ns Industrielle Automatisierung, Vernetzung, Unternehmensserver, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
Sync SRAM 4 Mb –
144 Mb		 Parallel
(x18, x36, x72)		 1,3 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V Bis zu 2.132 MT/s Netzwerktechnik, Bildverarbeitung, medizinische Instrumentierung, Unternehmensserver, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung

pSRAM

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio an pseudostatischen HyperRAM™/Octal xSPI-RAM-Speichern (pSRAM) mit Dichten von 64 Mb bis 512 Mb. Mit seiner einzigartigen Mischung aus Schnittstellen mit hoher Bandbreite und geringer Pin-Anzahl ist HYPERRAM™ ideal für eine Vielzahl von Industrie- und Automobilanwendungen, die zusätzlichen RAM zum Puffern von Daten, Audio, Bildern, Video oder als Notizblock für mathematische und datenintensive Operationen benötigen. Diese energieeffizienten pSRAMs sind auch die ideale Speichererweiterungswahl für batteriebetriebene Verbrauchergeräte und Wearables.

Der HYPERRAM™ von Infineon arbeitet mit einer DDR-Schnittstelle mit geringer Signalanzahl, dem sogenannten HYPERBUS™, die im Vergleich zu konkurrierenden Technologien wie SDR-DRAMs einen hohen Lese- und Schreibdurchsatz pro Prozessor-Pin erreicht.

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pSRAM-Produkte

Hauptmerkmale

  • Skalierbare Dichteoptionen von 64 Mb bis 512 Mb
  • HYPERBUS™ mit niedriger Pin-Anzahl oder oktaler xSPI-Bus
  • Kompakter Formfaktor mit 6 mm x 8 mm
  • Betriebsfrequenz: bis zu 200 MHz DDR
  • Energieeffizienter Hybrid-Ruhemodus
  • Betriebstemperatur: bis zu +125 °C

Vorteile

  • Erzielt einen Datendurchsatz von bis zu 800 MB/s für die Pufferung von hohen Geschwindigkeiten
  • Verbraucht weniger Prozessor-Pins als konkurrierender Erweiterungs-RAM
  • Spart Platz auf der Platine mit kompaktem 48mm2-Formfaktor
  • Kopplung mit HYPERBUS-basierten™ SoCs aus einem breiten Ökosystem von Chipsatz-Partnern
  • Gewährleistet die Produktversorgung und Langlebigkeit von mehr als 10 Jahren
pSRAM
Produktfamilie Dichte Schnittstelle Spannung Schnelligkeit Zielanwendungen
HYPERRAM™ 2.0 64 Mb - 512 Gb HYPERBUS™
Oktal xSPI		 1,8 V, 3,0 V Bis zu 400 MB/s Wearables, IoT-Geräte, HMI-Displays, industrielle Bildverarbeitung, Kombiinstrument für die Automobilindustrie
HYPERRAM™ 3.0 256 Mb HYPERBUS™
x16 ext. I/O-Anschlüsse		 1,8 V Bis zu 800 MB/s Industrielle Bildverarbeitungskameras, IoT-Geräte, Automotive V2X