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OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs™ für die Automobilindustrie
Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs™ von Infineon für die Automobilindustrie sind so konzipiert, dass sie über den AEC-Q101-Qualifikationsstandard hinausgehen. Mit einem weiten Spannungsbereich von 30 V bis 300 V und einer Vielzahl von robusten Gehäusen kann das Portfolio ein breites Spektrum an Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen abdecken. Bei den OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs von Infineon stehen Qualität, Zuverlässigkeit und Leistung im Vordergrund. Damit können Automobilentwickler energieeffiziente und zuverlässige elektronische Systeme für Fahrzeuge der nächsten Generation entwickeln.
Die OptiMOS™ -Familie umfasst auch eine breite Palette von Leistungs-MOSFETs für Industrie- und Verbraucheranwendungen, die durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in den wichtigsten Spezifikationen für Leistungssystemdesigns erfüllen.
Allgemeine Merkmale und Funktionen
- Erweiterte Zulassung über AEC-Q101 hinaus
- Optimiert für eine breite Schaltfrequenz
Wichtige Teilanwendungen
- Antriebsstrang: Einspritzgetriebe, Batteriemanagement, Pumpen (Wasser, Öl, Kraftstoff), HV- / 12V-DC-DC-Wandler, Motorkühlgebläse
- Fahrwerk: EPS, ABS-Steuerung, E-Bremskraftverstärker, E-Parkbremse, Wankstabilisierungskontrolle, Brake-by-Wire
- Karosserie: HLK, Fensterheber, Sitzsteuerung, Scheibenwischer, 48-V-/12-V-DC-DC-Wandler, Beleuchtung (HID, LED)
OptiMOS™ 7
Die OptiMOS™-7-Familie basiert auf der neuesten Trench-MOSFET-Technologie von Infineon, die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz bei branchenweit niedrigstem Durchlasswiderstand ermöglicht. Gleichzeitig bietet er reduzierte Schaltverluste, eine verbesserte SOA-Robustheit und eine hohe Lawinenstromfähigkeit, um ein effizientes Systemdesign für die Automobilanwendungen von morgen zu ermöglichen.
Für eine vollständige Liste der verfügbaren Automotive-Produkte der Baureihe OptiMOS™ 7 klicken Sie hier: OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs
Merkmale/Funktionen
- Sehr niedriger RDS(on)
- Hohe Lawinenfähigkeit
- Hohe Robustheit
- Enge VGS(th)-Spannungsschwellenbereich
- Schnelle Schaltzeiten (Ein-/Ausschalten)
- Unbedrahtetes Gehäuse mit Cu-Clip
- Führende Dünnwafer-Cu-Technologie
- Führende 300-mm-Eigenproduktion
- Gehäuseoption mit gekühlter Oberseite
- Erweiterte Zulassung über AEC-Q101 hinaus
Vorteile
- Hohe Leistungsdichte und Wirkungsgrad
- Erhöhte Strombelastbarkeit
- Verbesserte Widerstandsfähigkeit der Konstruktion
- Überlegene Schaltleistung
- Produktion in hoher Automobilqualität
- Geringer Platzbedarf und effiziente Kühlung
- Produktdesign in Automobilqualität
- Minimale Leitungsverluste
- Gut geeignet für die parallele Platzierung
Entwicklungsboard: MOS7_GENERIC_POW_BOARD
| Spannungsklasse | Zielanwendungen |
|---|---|
| 40 V | Elektrische Servolenkung, Lasttrennschalter, Zonensteuergeräte und E-Sicherungskasten, DC/DC, Bremsen, verschiedene BLDC-Antriebe |
| 80 V | DC/DC, BLDC-Motor, elektrische Servolenkung (48 V), Bremsen, Pumpen, Energieverteilung, LED, CAV, eScooter |
| 100 V | DC/DC, LED, 48V: Batteriemanagement, elektrische Servolenkung, Energieverteilung, Wärmemanagement, Pumpen |
OptiMOS™ 6
Der OptiMOS™ 6 ist ein hochleistungsfähiger Leistungs-MOSFET, der die Entwicklung effizienter und kompakter Automobilsysteme ermöglicht und dabei eine verbesserte Leistung, geringere Leistungsverluste und eine höhere Systemzuverlässigkeit bietet. Mit ihrer hohen Strombelastbarkeit und ihrem niedrigen Durchlasswiderstand eignet sich diese Technologie für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen im Automobilbereich.
Für eine vollständige Liste der verfügbaren Automotive-Produkte der Baureihe OptiMOS™ 6 klicken Sie hier: OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs
Merkmale/Funktionen
- Erweiterte Zulassung über AEC-Q101 hinaus
- Umweltfreundliches Produkt, (RoHS-konform)
- 100 % Avalanche-getestet
- MSL1 bis zu 260 °C Spitzenwert beim Reflow
- 175 ºC Betriebstemperatur
- Gehäuseoption mit gekühlter Oberseite
Vorteile
- Beste Kühlleistung
- Keine Wärmeübertragung in die Leiterplatte
- Sehr kompaktes Leiterplattendesign
- Reduziert die Systemfläche
- Reduziert den Kühlungsaufwand & Kosten (keine Durchkontaktierungen mehr)
- Reduziert Systemkosten und Designaufwand
- Hohe Leistungsdichte und Wirkungsgrad
Entwicklungsboard: MOS_GENERIC_POW_BOARD
| Spannungsklasse | Zielanwendungen |
|---|---|
| 40 V | Elektrische Servolenkung, BLDC-Motor, Bremsen, zonale Architektur, Energieverteilung, DC/DC, Relaisbox, Anschlusskasten, Motorsteuerung |
| 150 V | in Entwicklung |
OptiMOS™ 5
Die Automotive-MOSFETs der Baureihe OptiMOS™ 5 vereinen hohe Leistung, Qualität und Robustheit, um die anspruchsvollen Anforderungen der Automobilindustrie zu erfüllen, darunter hohe Leistungsdichte, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltfrequenz.
Für eine vollständige Liste der verfügbaren Automotive-Produkte der Baureihe OptiMOS™ 5 klicken Sie hier: OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs
Merkmale/Funktionen
- Klassenbester und führender RDS(on)
- Schnelle Schaltzeiten (Ein-/Ausschalten)
- Erweiterte Zulassung über AEC-Q101 hinaus
- Verbesserte elektrische Prüfung
- Umweltfreundliches Produkt, (RoHS-konform)
- 100 % Avalanche-getestet
- MSL1 bis zu 260 °C Spitzenwert beim Reflow
- 175 ºC Betriebstemperatur
Vorteile
- Hervorragende Schaltperformance
- Minimale Leitungsverluste
- Hohe Leistungsdichte
Entwicklungsboard: 24V BATT SWITCH DEMO
| Spannungsklasse | Zielanwendungen |
|---|---|
| 40 V | Elektrische Servolenkung, BLDC-Motor, Bremsen, zonale Architektur, Energieverteilung, DC/DC, Relaisbox, Anschlusskasten, Motorsteuerung |
| 60 V | DC-DC-Wandler, LED-Beleuchtung, kabelloses Laden, ADAS |
| 80 V | DC-DC-Wandler, Energieverteilung, eScooter, BLDC-Motor, 48 V: Pumpen, Lüfter, eTurbo |
| 100 V | Batterietrennschalter, Riemen-Starter-Generator, DC/DC, integrierter Starter-Generator, Stromverteilung |
| 120 V | HV-DC-DC-Wandler, On-Board-Charging (OBC) |
Deutschland