100-V-Halbbrücken-GaN-Treiber LT8418

Der 100-V-Halbbrücken-GaN-Treiber LT8418 von Analog Devices verfügt über einen intelligenten integrierten Bootstrap-Schalter

Abbildung: 100-V-Halbbrücken-GaN-Treiber LT8418 von Analog DevicesDer LT8418 von ADI ist ein 100-V-Halbbrücken-GaN-Treiber mit integrierten oberen und unteren Treiberstufen, Treiberlogiksteuerung und Schutzfunktionen. Er kann in synchronen Halbbrücken- und Vollbrückentopologien oder in Abwärts-, Aufwärts- und Abwärts-Aufwärts-Topologien konfiguriert werden. Der LT8418 bietet starke Stromquellen und -senken mit 0,6 Ω Pull-up- und 0,2 Ω Pull-down-Widerstand. Er verfügt über einen intelligenten integrierten Bootstrap-Schalter zur Erzeugung einer symmetrischen Bootstrap-Spannung aus VCC mit einer minimalen Ausfallspannung.

Der LT8418 verfügt über einen geteilten Gate-Treiber, mit dem sich die Ein- und Ausschalt-Flankensteilheit von GaN-FETs einstellen lässt, um Überschwingen (Ringing) zu unterdrücken und das EMI-Verhalten zu optimieren. Alle Eingänge und Ausgänge der Treiber sind standardmäßig auf einen niedrigen Wert eingestellt, um zu verhindern, dass die GaN-FETs fälschlicherweise eingeschaltet werden. Die Eingänge des LT8418, INT und INB, sind unabhängig und mit der TTL-Logik kompatibel. Der LT8418 zeichnet sich durch eine schnelle Ausbreitungsverzögerung von 10 ns und eine hervorragende Verzögerungsanpassung von 1,5 ns zwischen den oberen und unteren Kanälen aus und eignet sich daher für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Motortreiber und Audio-Verstärker der Klasse D. Darüber hinaus ist der LT8418 im WLCSP-Gehäuse untergebracht, um die parasitäre Induktivität zu minimieren, was seinen breiten Einsatz in Anwendungen mit hoher Performance und hoher Leistungsdichte ermöglicht.

In der Evaluierungsschaltung EVAL-LT8418-BZ steuert der LT8418 zwei 100-V-FETs aus verbessertem Galliumnitrid (eGaN) in einer Halbbrücken-Konfiguration. Der Schaltkreis ist als Abwärtswandler optimiert, kann aber auch als Aufwärtswandler oder andere Wandlertopologien mit einer Halbbrücke verwendet werden. Der Schaltkreis kann mit gutem Wärmemanagement bis zu 10 A liefern.

Merkmale/Funktionen
  • Halbbrücken-Gate-Treiber für GaN-FETs
  • 0,6 Ω Pull-up-Widerstand am oberen Gate-Treiber
  • 0,2 Ω Pull-Down-Widerstand am unteren Gate-Treiber
  • 4 A Spitzenstrom in der Quelle, 8 A Spitzenstrom in der Senke
  • Intelligenter integrierter Bootstrap-Schalter
  • Split-Gate-Treiber zum Einstellen der Einschalt-/Ausschaltstärke
  • Standard-Low-State für alle Treibereingänge und -ausgänge
  • Max. 15 V Nennspannung an den Eingängen INT und INB
  • Unabhängige INT-, INB-Eingänge mit TTL-Logik kompatibel
  • Schnelle Laufzeitverzögerung: 10 ns (typ.)
  • Abgestimmte Laufzeitverzögerung: 1,5 ns (typ.)
  • Symmetrische Versorgungsspannung des Treibers: VBST ≈ VCC = 3,85 V bis 5,5 V
  • Abschaltung bei Über- und Unterspannung
  • Kleines 12-Kugel-WLCSP-Gehäuse
Anwendungen/Zielmärkte
  • Hochfrequenz-DC/DC-Schaltleistungswandler
  • Halbbrücken-, Vollbrücken-, Push-Pull-Wandler
  • Stromversorgungen für Rechenzentren
  • Motortreiber, Audioverstärker der Klasse D
  • Verbraucher, Industrie und Automobiltechnik

Ressourcen

Abbildung: 100-V-Halbbrücken-GaN-Treiber LT8418 von Analog Devices

LT8418 100 V Half-Bridge GaN Driver

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Veröffentlicht: 2024-05-01