Alliance Memory, Inc.

CMOS-DDR3L-SDRAM AS4C512M16D3L mit hoher Geschwindigkeit und niedriger Spannung

Alliance Memory stellt den monolithischen synchronen CMOS-DRAM 3AS4C512M16D3L mit doppelter Datenrate der Generation 3 (DDR3) vor

Abbildung: CMOS-DDR3L-SDRAM AS4C512M16D3L von Alliance Memory mit hoher Geschwindigkeit und niedriger SpannungDer monolithische synchrone CMOS-DRAM mit doppelter Datenrate der Generation 3 (DDR3L SDRAM) AS4C512M16D3L von Alliance Memory mit hoher Geschwindigkeit und niedriger Spannung bietet eine Speicherdichte von 8 Gb und ein 96-poliges, bleifreies FBGA-Gehäuse der Größe 9 mm x 14 mm. Mit minimaler Chipverkleinerung bildet die Einzelchip-Komponente einen zuverlässigen pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe von ähnlichen Lösungen, die in Verbindung mit Mikroprozessoren neuerer Generationen in Industrie, Medizintechnik, Netzwerktechnik, Telekommunikation und Luft- und Raumfahrtanwendungen zum Einsatz kommen, wodurch kostspielige Neuentwicklungen und die Neuqualifizierung von Bauteilen entfallen. Dieser 8-Gb-DDR3L stellt eine logische Wahl für Anwendungen dar, die einen größeren Speicher benötigen, aber dennoch mit Platzbeschränkungen konfrontiert sind.

Merkmale und Vorteile
  • Angeboten in 96-poligem bleifreien FBGA-Gehäuse mit 9 mm x 14 mm
  • Modernste Chips von Micron Technology
  • Extrem schnelle Datenübertragungsraten von bis zu 1600 MBit/s je Pin und Taktraten von 800 MHz
  • Erhältlich mit erweitertem kommerziellen (0 °C bis +95 °C) und industriellem (-40 °C bis +95 °C) Temperaturbereich
  • Intern als acht Banken zu 64 M x 16 Bit konfiguriert (Parameter 512 M x 16)
  • Betrieb mit einzelner Spannungsversorgung von +1,35 V
  • Vollständig synchroner Betrieb
  • Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8
  • Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
  • Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto- oder Self-Refresh
  • Programmierbares Modus-Register ermöglicht System, geeignetste Modi zur Maximierung der Performance zu wählen

High-Speed Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2016-02-24

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