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1 15,91000 €15,91
10 14,62200 €146,22
25 14,01640 €350,41
100 12,34940 €1.234,94
500 10,98570 €5.492,85
1.000 10,33138 €10.331,38

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SCT3105KRC14

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 846-SCT3105KRC14-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT3105KRC14
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Beschreibung SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V 24 A (Tc) 134W Durchkontaktierung TO-247-4L

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT3105KR
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
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Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 137mOhm bei 7,6A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 3,81mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 51nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 574pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 134W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Gehäuse / Hülle TO-247-4
Basis der Teilenummer SCT3105
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 240
Andere Namen 846-SCT3105KRC14
SCT3105KRC14-ND