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1 17,42000 €17,42
10 16,01500 €160,15
25 15,35080 €383,77
100 13,52540 €1.352,54
500 12,03176 €6.015,88
1.000 11,31514 €11.315,14

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SCT3105KLHRC11

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT3105KLHRC11-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer SCT3105KLHRC11
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Beschreibung SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V 24 A (Tc) 134W Durchkontaktierung TO-247N

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT3105KLHR
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) SCT PPAP Statement
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
3rd Generation Automotive-Grade SiC MOSFETs
AEC-Q101 Automotive MOSFETs
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Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 137mOhm bei 7,6A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 3,81mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 51nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 574pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 134W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Basis der Teilenummer SCT3105
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 450