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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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SCT3080KW7TL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLTR-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 17 Wochen
€9,82041 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor) 1200V 30 A (Tc)
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104mOhm bei 10A, 18V 5,6V bei 5mA 60nC @ 18V +22V, -4V 785pF @ 800V
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159W 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-7 TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLCT-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 899 - Sofort Verfügbar: 899 €15,13000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor) 1200V 30 A (Tc)
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104mOhm bei 10A, 18V 5,6V bei 5mA 60nC @ 18V +22V, -4V 785pF @ 800V
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159W 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-7 TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLDKR-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 899 - Sofort Verfügbar: 899 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor) 1200V 30 A (Tc)
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104mOhm bei 10A, 18V 5,6V bei 5mA 60nC @ 18V +22V, -4V 785pF @ 800V
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159W 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-7 TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA
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09:34:20 10.24.2021