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SCT3080KRC14

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 846-SCT3080KRC14-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3080KRC14
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Beschreibung 1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V 31 A (Tc) 165W Durchkontaktierung TO-247-4L

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Dokumente & Medien
Datenblätter SCT3080KR
Videodatei ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
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Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 31 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 104mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 60nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 785pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Gehäuse / Hülle TO-247-4
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 30
Andere Namen 846-SCT3080KRC14
SCT3080KRC14-ND