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SCT3030ARC14 N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W Durchkontaktierung TO-247-4L
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SCT3030ARC14

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 846-SCT3030ARC14-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3030ARC14
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Beschreibung 650V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4P
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W Durchkontaktierung TO-247-4L

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Dokumente & Medien
Datenblätter SCT3030AR
Videodatei ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 39mOhm bei 27A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 104nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1526pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 262W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Gehäuse / Hülle TO-247-4
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 30
Andere Namen 846-SCT3030ARC14
SCT3030ARC14-ND