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SCT3022KLGC11 N-Kanal 1200V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N
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10 35,83800 358,38 €
25 34,33600 858,40 €
100 30,04410 3.004,41 €
500 26,61042 13.305,21 €
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SCT3022KLGC11

Digi-Key Teilenummer SCT3022KLGC11-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3022KLGC11
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Beschreibung SCT3022KL IS AN SIC (SILICON CAR
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N

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Kundenreferenz
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Videodatei ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
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Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 95 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28,6mOhm bei 36A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178nC @ 10V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2879pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 427W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 450