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SCT3022ALHRC11 N-Kanal 650V 93 A (Tc) 339W Durchkontaktierung TO-247N
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SCT3022ALHRC11

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT3022ALHRC11-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3022ALHRC11
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Beschreibung AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 93 A (Tc) 339W Durchkontaktierung TO-247N

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Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2080KEHR
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) SCT PPAP Statement
Vorgestelltes Produkt SiC Power MOSFETs
3rd Generation Automotive-Grade SiC MOSFETs
AEC-Q101 Automotive MOSFETs
Videodatei
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie Automobiltechnik, AEC-Q101
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 93 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28,6mOhm bei 36A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2208pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 339W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 30