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SCT2160KEC N-Kanal 1200V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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1 12,62000 12,62 €
10 11,60400 116,04 €
25 11,12280 278,07 €
100 9,61970 961,97 €
250 9,31904 2.329,76 €
500 8,71782 4.358,91 €
1.000 8,41720 8.417,20 €

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SCT2160KEC

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT2160KEC-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT2160KEC
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Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V 22 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

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Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 208mOhm bei 7A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 62nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200pF @ 800V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 360
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