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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RZF013P01TL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RZF013P01TL Datasheet RZF013P01TL - Rohm Semiconductor RZF013P01TLTR-ND RZF013P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 52 Wochen
€0,08581 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 12V 1,3 A (Ta) 1,5V, 4,5V 260mOhm bei 1,3A, 4,5V 1V bei 1mA 2,4nC @ 4,5V ±10V 290pF @ 6V
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800mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
RZF013P01TL Datasheet RZF013P01TL - Rohm Semiconductor RZF013P01TLCT-ND RZF013P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 25 - Sofort Verfügbar: 25 €0,39000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 12V 1,3 A (Ta) 1,5V, 4,5V 260mOhm bei 1,3A, 4,5V 1V bei 1mA 2,4nC @ 4,5V ±10V 290pF @ 6V
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800mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
RZF013P01TL Datasheet RZF013P01TL - Rohm Semiconductor RZF013P01TLDKR-ND RZF013P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 25 - Sofort Verfügbar: 25 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 12V 1,3 A (Ta) 1,5V, 4,5V 260mOhm bei 1,3A, 4,5V 1V bei 1mA 2,4nC @ 4,5V ±10V 290pF @ 6V
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800mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
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11:36:57 10.24.2021