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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RV2C002UNT2L
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LTR-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 8.000 - Sofort Verfügbar: 8.000 0,05048 € 8.000 Minimum : 8.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 180mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohm bei 150mA, 4,5V 1V bei 100µA
-
±10V 12pF @ 10V
-
100mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1006-3 (VML1006) SC-101, SOT-883
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LCT-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 11.867 - Sofort Verfügbar: 11.867 0,32000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 180mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohm bei 150mA, 4,5V 1V bei 100µA
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±10V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1006-3 (VML1006) SC-101, SOT-883
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LDKR-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 11.867 - Sofort Verfügbar: 11.867 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 180mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohm bei 150mA, 4,5V 1V bei 100µA
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±10V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1006-3 (VML1006) SC-101, SOT-883
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11:23:19 8.14.2020