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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RUM002N02T2L
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RUM002N02T2L Datasheet RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor RUM002N02T2LTR-ND RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 24.000 - Sofort Verfügbar: 24.000 0,05209 € 8.000 Minimum : 8.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 200mA (Ta) 1,2V, 2,5V 1,2Ohm bei 200mA, 2,5V 1V bei 1mA
-
±8V 25pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
RUM002N02T2L Datasheet RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor RUM002N02T2LCT-ND RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 31.942 - Sofort Verfügbar: 31.942 0,33000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 200mA (Ta) 1,2V, 2,5V 1,2Ohm bei 200mA, 2,5V 1V bei 1mA
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±8V 25pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
RUM002N02T2L Datasheet RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor RUM002N02T2LDKR-ND RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 31.942 - Sofort Verfügbar: 31.942 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 200mA (Ta) 1,2V, 2,5V 1,2Ohm bei 200mA, 2,5V 1V bei 1mA
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±8V 25pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
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