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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RTF016N05TL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RTF016N05TL Datasheet RTF016N05TL - Rohm Semiconductor RTF016N05TLTR-ND RTF016N05TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,09752 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 1,6 A (Ta) 2,5V, 4,5V 190mOhm bei 1,6A, 4,5V 1,5V bei 1mA 2,3nC @ 4,5V ±12V 150pF @ 10V
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320mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
RTF016N05TL Datasheet RTF016N05TL - Rohm Semiconductor RTF016N05TLCT-ND RTF016N05TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 2.536 - Sofort Verfügbar: 2.536 0,44000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 1,6 A (Ta) 2,5V, 4,5V 190mOhm bei 1,6A, 4,5V 1,5V bei 1mA 2,3nC @ 4,5V ±12V 150pF @ 10V
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320mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
RTF016N05TL Datasheet RTF016N05TL - Rohm Semiconductor RTF016N05TLDKR-ND RTF016N05TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 2.536 - Sofort Verfügbar: 2.536 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 1,6 A (Ta) 2,5V, 4,5V 190mOhm bei 1,6A, 4,5V 1,5V bei 1mA 2,3nC @ 4,5V ±12V 150pF @ 10V
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320mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TUMT3 3-SMD, flache Anschlüsse
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16:06:23 6.18.2021