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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RSQ020N03HZGTR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RSQ020N03HZGTR Datasheet RSQ020N03HZGTR - Rohm Semiconductor 846-RSQ020N03HZGTR-ND RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€0,18360 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2 A (Ta) 4V, 10V 134mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 1mA 3,1nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V
-
950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RSQ020N03HZGTR Datasheet RSQ020N03HZGTR - Rohm Semiconductor 846-RSQ020N03HZGCT-ND RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 2.107 - Sofort Verfügbar: 2.107 €0,52000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2 A (Ta) 4V, 10V 134mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 1mA 3,1nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RSQ020N03HZGTR Datasheet RSQ020N03HZGTR - Rohm Semiconductor 846-RSQ020N03HZGDKR-ND RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 2.107 - Sofort Verfügbar: 2.107 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2 A (Ta) 4V, 10V 134mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 1mA 3,1nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
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00:52:54 9.22.2021