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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RSM002P03T2L
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RSM002P03T2L Datasheet RSM002P03T2L - Rohm Semiconductor RSM002P03T2LTR-ND RSM002P03T2L Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 8.000 - Sofort Verfügbar: 8.000 €0,12307 8.000 Minimum : 8.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 200mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 200mA, 10V 2,5V bei 1mA
-
±20V 30pF @ 10V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
RSM002P03T2L Datasheet RSM002P03T2L - Rohm Semiconductor RSM002P03T2LCT-ND RSM002P03T2L Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 9.891 - Sofort Verfügbar: 9.891 €0,37000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 200mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 200mA, 10V 2,5V bei 1mA
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±20V 30pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
RSM002P03T2L Datasheet RSM002P03T2L - Rohm Semiconductor RSM002P03T2LDKR-ND RSM002P03T2L Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 9.891 - Sofort Verfügbar: 9.891 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 200mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 200mA, 10V 2,5V bei 1mA
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±20V 30pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage VMT3 SOT-723
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