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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RSH070P05TB1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RSH070P05TB1 Datasheet RSH070P05TB1 - Rohm Semiconductor RSH070P05TB1TR-ND RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP 5.000 - Sofort Verfügbar: 5.000 €0,69171
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Nicht für Neukonstruktionen P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 7 A (Ta) 4V, 10V 27mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 47,6nC @ 5V ±20V 4100pF @ 10V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RSH070P05TB1 Datasheet RSH070P05TB1 - Rohm Semiconductor RSH070P05TB1CT-ND RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP 5.120 - Sofort Verfügbar: 5.120 €1,50000
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Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Nicht für Neukonstruktionen P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 7 A (Ta) 4V, 10V 27mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 47,6nC @ 5V ±20V 4100pF @ 10V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RSH070P05TB1 Datasheet RSH070P05TB1 - Rohm Semiconductor RSH070P05TB1DKR-ND RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP 5.120 - Sofort Verfügbar: 5.120 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Nicht für Neukonstruktionen P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 7 A (Ta) 4V, 10V 27mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 47,6nC @ 5V ±20V 4100pF @ 10V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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