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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RSC002P03T316
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RSC002P03T316 Datasheet RSC002P03T316 - Rohm Semiconductor RSC002P03T316TR-ND RSC002P03T316 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 250MA SST3 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,04238 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 250mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 250mA, 10V 2,5V bei 1mA
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±20V 30pF @ 10V
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200mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage SST3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RSC002P03T316 Datasheet RSC002P03T316 - Rohm Semiconductor RSC002P03T316CT-ND RSC002P03T316 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 250MA SST3 2.670 - Sofort Verfügbar: 2.670 0,24000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 250mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 250mA, 10V 2,5V bei 1mA
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±20V 30pF @ 10V
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200mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage SST3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RSC002P03T316 Datasheet RSC002P03T316 - Rohm Semiconductor RSC002P03T316DKR-ND RSC002P03T316 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 250MA SST3 2.670 - Sofort Verfügbar: 2.670 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 250mA (Ta) 4V, 10V 1,4Ohm bei 250mA, 10V 2,5V bei 1mA
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±20V 30pF @ 10V
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200mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage SST3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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